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MOSFET體二極管的反向恢復特性與橋式電路損耗的關系 在逆變器電路和Totem Pole型功率因數改善（PFC）電路等具有2個以上MOSFET的橋式電路中，由于流過上下橋臂的電流會使導通損耗增加。該現象受開關MOSFET和對應橋臂MOSFET的體二極管（寄生二極管）的反向恢復特性影響很大。因此，在橋式電路中，體二極管反向恢復特性優異的MOSFET優勢明顯。 雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關特性，還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復二極管（FRD）等的反向恢復特性。因此，對導通時發生反向恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。雙脈沖測試的基本電路圖如下所示。 
當體二極管從ON轉換為OFF時，必須將ON時所蓄積的電荷進行放電。此時，設從體二極管釋放出的電荷量為Qrr，釋放電荷所產生的電流峰值為Irr，Q2的功率損耗為Pd_L，則Q2的導通動作可以如右圖所示。ID_L的三角形面積為Qrr、三角形的高為Irr。
關鍵要點: ・在具有2個以上MOSFET的橋式電路中，當MOSFET的體二極管反向恢復特性較差時，導通損耗會增加。 ・雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。 ・雙脈沖測試不僅可以評估對象元件的開關特性，也可以評估體二極管和外置快速恢復二極管等的反向恢復特性。 ・雙脈沖測試對導通時發生反向恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。
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