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*@SPATM TVS Diode Array - 瞬態抑制二極管陣列

發布時間:2011-8-19 23:52    發布者:1770309616


選型手冊下載:

ESD抑制產品選型手冊(4.68M):

Littelfuse_ESD_System_Level_Guide[1].pdf (4.68 MB)

SPA產品目錄(8.24M):

Littelfuse_SPA_Catalog[1].pdf (8.24 MB)


              Littelfuse SPA器件設計用于保護電子設備免受通常具有破壞力的快速瞬態電壓的破壞,例如雷擊和靜電放電(ESD)。
       它們為電腦和便攜式消費電子產品市場提供了針對輸入/輸出接口和數字與模擬信號線的理想保護方案.

Littelfuse SPA器件可提供包括DIPSOICMSOPSOT23SOT143SC70SOT5x3SOT953µDFNSOD723和倒晶在內的多種封裝配置。

瞬態抑制二極管陣列擁有較低的電容、泄漏電流和箝位電壓,可提供高級別的保護(根據IEC 61000-4-2標準,電壓高達30kV)。 SP03-xxSP30xx器件可用于更嚴酷的應用條件,能夠防止EFT和雷擊瞬變威脅,符合IEC-61000-4-4/5標準。

靜電放電(ESD)是一種電瞬態現象,可對電子電路造成嚴重威脅。
最常見的原因是由于兩種不同材料相互摩擦而造成電荷在表面積聚。
通常,其中的一個表面為人體,靜電荷經常高達15,000伏。
當靜電電壓達到6,000伏時,如發生ESD,則會令人體感到痛苦。
較低的放電電壓可能不會引起人們注意,不過也會對電子元件和電路造成災難性的損壞。

1、 瞬態抑制二極管陣列介紹
Littelfuse 瞬態抑制二極管陣列旨在盡可能使用最小的箝位電壓來保護模擬和數字信號線路(例如USBHDMI)免于各種瞬變現象的危害。
與傳統二極管相比,它們的應用范圍更廣,脈沖保護性能更優越。

此類二極管功能強大,可以IEC 61000-4-2國際標準中規定的最高級別(4級)安全吸收ESD的反復沖擊,性能無任何下降。

主要特色

·低電容,通常為30pF0.65pF

·高級別的ESD保護(IEC 610000-4-2 )接觸放電高達±20kV,空氣放電高達±30kVEFT IEC 61000-4-4 40A5/50ns

·低箝位電壓

·低泄漏電流,最大0.5μA

·高達14的輸入保護

·可提供節省空間的表面封裝型、通孔型和在輸入端口附近安裝的小尺寸封裝,以提供最優保護

·符合RoHS標準,無鉛

Littelfuse SPA:工作原理

Littelfuse 瞬態抑制二極管陣列(SPATM TVS Diode Array ),提供對ESD、電磁干擾(EMI)、電氣快速瞬變(EFT)和雷擊的防護,主要用于依靠電源工作的敏感型數字和模擬輸入電路的數據、信號或控制線路。

SPA的工作原理分為兩步:首先,它們會吸收二極管的瞬變電流并改變其方向,接著通過雪崩或齊納二極管箝制電壓水平。
這樣可防止設備超出額定電壓值。
當發生過電壓故障時,設備必須具有特定電流波形的低箝位電壓,以保護靈敏型IC和端口。

在正常工作狀態下,反向斷態電壓必須高于設備的電源/工作電壓,且帶有低泄漏電流,以防止電源負載。
設備電容必須低至足以減少輸入信號的失真。
設備封裝必須體積小、高度低,以實現高密度的印刷電路板布局。

設備必須能承受IEC 61000-4-2規定的多種ESD/EFT脈沖。

術語與定義

工作電壓范圍(Vsupply可橫跨V+V-兩端的電源電壓范圍限值。 SCR/二極管陣列無固定轉折電壓或工作電壓。
此類設備可在輸入和電源軌道上浮動,因此同一個設備可在其電壓范圍內的任意點位工作。

正向電壓降特定正向電流的輸入引腳和對應電源引腳之間的最大正向電壓降。

反向電壓降特定反向電流的輸入引腳和對應電源引腳之間的最大反向電壓降。

反向斷態電壓設備的反向斷態電壓(VR)應等于或高于待保護電路(或部分電路)的峰值工作水平。
這是為了確保SPA不會抑制電路驅動電壓。

反向泄漏電流在特定電壓下測得的最大電流。

箝位電壓在出現最大峰值脈沖電流時,可從保護器上測得的最大電壓。

輸入泄漏電流在輸入端規定的電壓下,于輸入引腳處測得的直流電流值。

靜態電源電流Vsupply在最大電壓時,輸入V+/V-引腳的最大直流電流。

輸入電容1MHz/1VRMS的條件下,于輸入引腳和任一電源引腳之間測得的電容。


2、什么是瞬態電壓?為什么需要注意這種電壓?

瞬態電壓是由電能釋放的短時高電壓,通常在儲存的能量突然釋放,或有較重的電感負載或雷擊等其它誘因時產生。
在電氣或電子電路中,可以通過開關控制方法預先釋放該能量,也可以將其隨機導入外部電源電路中。

反復瞬變現象通常在操作電機、發電機或在開/關反饋電路元件時產生。
而隨機瞬變現象則通常在雷擊或靜電放電(ESD)時產生。
雷擊和靜電放電的發生是無法預測的,所以需要進行精密的監測以準確測算,尤其在電路板層面可能發生上述情況的時候更需注意。
許多電子標準組使用公認的監測手段或測試方法對瞬變電壓的產生進行了分析研究。
下表列舉了瞬變現象的一些重要特征。


電壓

電流

生成時間

持續時間

雷擊

25kV

20kA

10 μs

1ms

/

600V

500A

50 μs

500ms

電磁脈沖

1kV

10A

20ns

1ms

ESD

15kV

30A

<1ns

100ns


1:瞬變源及其量值示例

瞬變電壓峰值的特性

如下圖所示,雷擊和靜電放電形成的瞬變電壓峰值通常會形成一條雙指數波形。





1:雷擊的瞬變波形





2:靜電放電的測試波形

雷擊的指數生成時間在1.2微秒至10微秒之間(基本為10%90%),持續時間在50微秒至1000微秒之間(峰值的50%

而靜電放電持續的時間則相對而言短很多。
生成時間小于1.0毫微秒。
持續總時間約為100納秒。

為什么瞬變現象越來越多地受到關注?

產品的小型化趨勢使得產品對電氣應力日益敏感。
以微處理器為例,其結構和導電通路無法處理由靜電放電瞬變現象產生的強電流。
因為這類產品的操作電壓非常低,所以必須控制電壓干擾以防設備斷路、潛在隱患或災難性事件的發生。

目前,敏感微處理器廣泛應用于各類設備之中。
從家用電器(例如洗碗機)至工業控制設備,甚至玩具都使用微處理器來提高性能和功效。

大部分汽車也使用多重電子系統來控制發動機、空調、剎車系統,部分汽車還將其用于控制轉向、牽引和安全系統。

應用設備和汽車內的很多附件或支持產品(例如電機或配件)都有可能產生危害整個系統的瞬變現象。

因此,縝密的電路設計不僅要考慮自然環境的影響,還需要注意相關產品存在的潛在威脅。
下表2列舉了不同產品的技術弱點。

裝置類型

臨界電壓(伏)

VMOS

30-1800


100-200

GaAsFET

100-300

EPROM

100

JFET

140-7000


250-3000

肖特基二極管

300-2500

雙極晶體管

380-7000

SCR

680-1000


2:設備的臨界電壓范圍。



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1770309616 發表于 2011-8-20 00:13:17
3、瞬態電壓產品示例

瞬態電壓產品示例

靜電放電(ESD

靜電放電通常生成時間很快,峰值電壓和電流可達到非常高的值。
此種能量由物體間不平衡的正負電荷產生。

日常活動中的靜電放電足以超過標準半導體技術中的瞬態臨界點。
以下列舉了幾個例子:

·從地毯上走過:
35kV @ RH = 20%;1.5kV @ RH = 65%

·從塑膠地板上走過:
12kV @ RH = 20%;250V @ RH = 65%

·工人在工作臺上工作:
6kV @ RH = 20%;100V @ RH = 65%

·塑膠信封:
7kV @ RH = 20%;600V @ RH = 65%

·從桌面上拿起塑料袋:
20kV @ RH = 20%;1.2kV @ RH = 65%

雷擊引起的瞬變現象

盡管直擊雷的破壞力顯而易見,可是由雷擊引起的瞬態現象并非由直擊雷造成。

發生雷擊時產生的磁場,會造成附近的電纜線發生高量值瞬態。

云層間的雷擊對地面和埋在地下的電纜都會產生影響。
即使雷擊發生在1英里1.6公里)以外的地方,依然可在電纜上產生70伏的電壓。

而云層對地面的雷擊所產生的瞬態電壓的(如右圖所示)則更大。

下圖顯示了典型的由雷擊干擾引發的電流波。


感應負載開關

電感負載開關可產生能量很高且量值不斷增加的瞬態電壓。
當電感負載關閉的時候,斷裂的磁場被轉化為雙指數瞬態形式的電能。
根據不同的產生源,瞬態現象可產生數百伏的電壓和數百安培的電流,持續時間可達400毫秒。

典型的電感瞬變產生源包括:

·發電機

·電機

·繼電器

·互感器

這些實例在電氣和電子系統中應用廣泛。
由于各種應用的負載各不相同,實際瞬態現象產生的波形、持續時間、峰值電流和峰值電壓也都不同。
只要估算出這些可變量值,就能夠選用合適的抑制器技術。

右圖展示的是由汽車充電系統的交流發電機中聚集的能量引發的瞬態現象。

汽車的其它直流電機也可能會引發類似的瞬態現象。
例如電子鎖、座椅和窗戶等直流電機電子設備。
使用直流電機的不同應用設備都可以產生瞬態現象,它與由外界因素產生的瞬態現象一樣,都會對敏感電子組件造成危害。

1770309616 發表于 2011-8-20 00:22:38
4、Littelfuse SPA選擇和產品概述

鑒于抑制ESD和其他電氣瞬態現象的速度和箝位等級對保護現代化集成電路至關重,Littelfuse的瞬態抑制二極管陣列是提供這類保護的理想選擇。 SPATM系列提供多種設備,均適用于目前市場上絕大多數ESD額定值高達30kV、寄生電容低至0.4pF的應用。
下表列出了所有瞬態抑制二極管陣列系列產品,以及一些相應的關鍵規格。
如需了解關于某個系列的詳細信息,請點擊系列名稱。


wbsh 發表于 2011-8-20 21:45:57
謝謝了
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