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2011年7月11日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將參加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight舉行的Power System Japan展覽會，展示其最新的技術方案。該展會是Techno-Frontier 2011（2011日本電子、機械零配件及材料博覽會）在電源系統方面的專業展覽。Vishay展位號3T-211，Vishay的大批業內領先的半導體和無源電子元件將集中亮相。觀眾可了解Vishay的領先解決方案如何幫助設計者在各種各樣的應用中滿足其對節省空間和提高效率的特定需求。 Vishay在Techno-Frontier 2011上展示的產品線如下。 電阻：Vishay將重點展示采用霍爾效應技術的新型無觸點傳感器，這種傳感器在20G的高頻振動和50G的沖擊情況下依然具有高性能。除用于功率計和電池管理應用的大電流Power Metal Strip®分流電阻外，包括專業汽車薄膜芯片電阻在內的獨創SMD電阻方案將同臺展出。 電感器：針對各種終端產品中的電壓調節模塊（VRM）和DC-DC轉換器應用，Vishay將展示業內最小的和最大的SMD復合電感器，以及業內最薄的大電流電感器。 電容器：Vishay ESTA功率電容器將出現在展臺上，同時展出的還有DC-link聚丙烯薄膜電容器，及針對極為重要的醫療和軍工/航天應用提供威布爾失效率分級等篩選選項的高可靠性MicroTan®鉭電容器。 二極管：Vishay將展出一系列為太陽能電池旁路保護、照明應用、桌面電源和更多其他應用而優化的新款二極管。展示的重點包括45 V TMBS®系列整流器，采用功率封裝的200V和600V FRED Pt®極快和超快整流器，小尺寸、SMD標準的快速和超快雪崩整流器，采用D-PAK封裝的200V和600V FRED Pt極快和超快整流器，以及低正向壓降的橋式整流器。 MOSFET：Vishay節省空間的PowerPAIR®解決方案將出現在展臺上，該產品集成了多個最優的低壓MOSFET，可取代傳統的分立式解決方案。其他產品還有采用PowerPAK® SO-8封裝、具有低導通電阻的下一代40V～100V MOSFET，以及采用兼具超低導通電阻和對雪崩性能進行100%測試的Super Junction技術的高壓MOSFET。 功率IC：Vishay的高精度模擬復用器系列將被展出，此外還有節省空間、提高效率的集成同步降壓穩壓器和DrMOS集成功率級。 光電子：重點展示的產品包括IGBT和MOSFET驅動，此外還有業界首款在一個小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無引線、表面貼裝封裝內集成紅外發射器、PIN光敏二極管、環境光探測器、信號處理IC和16位ADC的接近和環境光光學傳感器。 |
