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美高森美公司(Microsemi )日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設計指南，這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎，廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產(chǎn)、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術刀和感應加熱等系統(tǒng)中。 這些模塊將RF驅(qū)動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設計指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡設計、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設計等各種RF設計技巧，并針對構建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓撲提供具體建議。 美高森美MOSRF產(chǎn)品部營銷總監(jiān)Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產(chǎn)品同傳統(tǒng)的低壓RF系統(tǒng)相比具有更加突出的技術優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠解決復雜的設計難題，減小系統(tǒng)體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統(tǒng)成本，適合各種工業(yè)、科學和醫(yī)學方面的應用。” 美高森美DRF產(chǎn)品系列將最多兩個RF驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET及相關的退耦電容集成在單一封裝中。驅(qū)動器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時可提供比分立元件解決方案更高的系統(tǒng)性能，以及實現(xiàn)多種電路配置和系統(tǒng)拓撲。該模塊專為提供連續(xù)的功率、 Class D和E與脈沖功率應用而設計，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發(fā)射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無法蘭封裝技術，成本比傳統(tǒng)替代解決方案更低，而且進一步改善系統(tǒng)性能。 美高森美現(xiàn)提供DRF產(chǎn)品系列的設計指南和其它開發(fā)工具和技術支持服務，包括SPICE模型，參考設計工具套件和應用說明。 |
