德州儀器(TI)公司最近推出了兩款降壓轉(zhuǎn)換器,它們以業(yè)界最小的封裝實(shí)現(xiàn)了最高的功率密度與效率。TI中國(guó)區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師吳濤為我們講解了兩款轉(zhuǎn)換器的特性。 吳濤說(shuō),TPS56221和TPS56121用于電源轉(zhuǎn)換,集中在大功率或大電源應(yīng)用上,它們的最大輸出電流分別為25A和15A。這些產(chǎn)品上個(gè)月已經(jīng)量產(chǎn),有些客戶已經(jīng)在做評(píng)估。 TPS56是最新的編碼,以前常見(jiàn)的物料是TPS54,這是MOS管集成的方案。但和TPS56相比,TPS54電流會(huì)更小一點(diǎn),一般集中在10安培或10安培以下。TPS56內(nèi)部集成的是NexFET,這也是TI自己的MOS管,非常高效率,能達(dá)到非常高開(kāi)關(guān)速度。集成NexFET以后,電流比傳統(tǒng)的TPS54電流更高一些,達(dá)到15或25安培的級(jí)別。TPS54和TPS56兩個(gè)系列可以覆蓋3—30安培所有單相DC/DC的應(yīng)用。 這種類型的產(chǎn)品更多集中在大電流應(yīng)用上,比如通信、FPGA、DSP等比較大的電流的應(yīng)用。尤其在通訊行業(yè),他們一直追求提高功率密度、提高效率。今年發(fā)布的TPS56正是適應(yīng)這個(gè)需求,可以極大提高功率密度,而且效率處于業(yè)界領(lǐng)先(應(yīng)該是業(yè)界第一)的地位。 TPS56221最大的特點(diǎn)是高效率、高功率密度,效率從5安培到25安培全部在90%以上,這是非常高的效率。測(cè)試條件是在12V輸入,1.3V輸出,500KHz開(kāi)關(guān)頻率。在1.2V這么低的電壓下、5A到25A這么寬的范圍內(nèi)達(dá)到90%的效率,在業(yè)界是非常難做到的一件事情。用TI的控制器加上NexFET就可以達(dá)到這樣的效果,非常平的效率曲線,無(wú)論是輕負(fù)載、重負(fù)載還是中等負(fù)載效率都非常高。5A以下,4A、3A、2A效率到在80%以上,1A依然有70%的效率,也就是說(shuō)客戶如果在一些休眠或低功耗的狀態(tài)下,電流在1A時(shí)效率依然非常高。TPS56221由于內(nèi)部集成controller和NexFET的原因,在重載下效率非常高,輕載下效率依然非常高。 ![]() 它的功率密度也是非常高的,達(dá)到200W/立方英寸。這個(gè)芯片是5毫米×6毫米的大小,高度是1.5毫米。業(yè)界正常的25A的一個(gè)MOS管就是5毫米×6毫米的大小,TI現(xiàn)在把兩個(gè)MOS管加上控制器全部放在一個(gè)封裝里是5毫米×6毫米的大小,它的功率密度和傳統(tǒng)解決方案相比提高了不止1倍。所以整個(gè)的一個(gè)25A的解決方案平鋪下來(lái)是315平方毫米,可以極大節(jié)省客戶的板面積,而且也節(jié)省了客戶物料管理所需要花費(fèi)的工夫,因?yàn)榘袽OS管也集成了,他不用單獨(dú)采購(gòu)MOS管。原來(lái)要三顆物料,現(xiàn)在只要一顆就可以完成一個(gè)解決方案了。 ![]() TPS56221的顯著特性如下。首先里面用到NexFET CSD86350 電源模塊,上管和下管集成在一個(gè)封裝里,其他廠商也有這樣的做法。56221除了用到一個(gè)傳統(tǒng)的TPS40控制器,也會(huì)用到CSD86350的Power Block,正因?yàn)槲覀冇玫搅薔exFET, 所以才做到這么高的效率。其次它采用變壓型的控制加上前端控制,它的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間非常好,包括對(duì)于輸入跳變響應(yīng)非常快。 第三是在-4度到88度的范圍以內(nèi),保證1%精度的0.6V基準(zhǔn)。0.6V這么低的基準(zhǔn)可以保證在擴(kuò)電壓越來(lái)越降低的情況,能適應(yīng)所有的應(yīng)用,1%的精度也能保證主芯片獲得高精度的使用范圍。比如芯片要求正負(fù)3%的精度要求,DC/DC的精度控制就是非常重要的事情。在25度常溫狀態(tài)下僅0.5%是非常準(zhǔn)的精度。同時(shí)它支持預(yù)偏置電壓的啟動(dòng),輸出1.8V或1.2V。有部分電壓從別的電壓軌轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的電壓時(shí),它能夠保證平滑的啟動(dòng),而不是從別的電源軌電流進(jìn)來(lái),也就是不會(huì)有反向電流進(jìn)入到DC/DC里。 TPS56221最小的on time是100nm, 最大duty可以非常高。在不同的頻率下有不同的最大duty, 比如500k時(shí)最大duty有90%。這么寬的Maximum duty可以允許客戶做任何的電壓配比,比如5V轉(zhuǎn)3.3V、5V轉(zhuǎn)3.3V以下的電壓,包括5V轉(zhuǎn)1.2V的電壓都可以順利的完成設(shè)計(jì)。 另外有一個(gè)很大的特色就是,過(guò)流保護(hù)可以根據(jù)客戶的需要設(shè)定,比如使用20A,不想過(guò)流保護(hù)到25A以上可以自己調(diào)整。 高側(cè)(high side)有Pulse by pulse來(lái)進(jìn)行,目前用到的方法是外部用到的電阻,可以根據(jù)客戶選擇不同的電阻值來(lái)調(diào)整過(guò)流保護(hù)點(diǎn)。這里總結(jié)的是有NexFET的優(yōu)點(diǎn),也有TPS40K控制器的優(yōu)點(diǎn),兩方面加在一起才有這么一個(gè)DC/DC converter。 下面進(jìn)一步介紹效率和功耗情況。傳統(tǒng)的做法是外面有兩個(gè)MOS管,現(xiàn)在已經(jīng)包含進(jìn)去,所以它有最大的外部器件是電容,其他都是小器件。這和剛才的效率曲線基本是一樣的,它做的轉(zhuǎn)換是12V至1.2V、25A的轉(zhuǎn)換,不同的是剛才是12V的曲線在上面,這里把8V和14V的效率曲線也標(biāo)出來(lái)了。 三家公司的產(chǎn)品做過(guò)比較,其中有15A、25A和20A的。最接近競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品效率也差4個(gè)點(diǎn),其他的效率差別會(huì)更大。 ![]() 新推出的兩款產(chǎn)品中TPS56121是15A的產(chǎn)品,TPS56221是25A的產(chǎn)品。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,TI的工作頻率是1M赫茲,比對(duì)手高了一倍,開(kāi)關(guān)損耗大了很多,但是15A時(shí)的效率,仍然比對(duì)手高3%。也就是說(shuō),TI的方案尺寸更小而效率更高。3個(gè)點(diǎn)的效率意味著什么?對(duì)于效率已經(jīng)非常高的解決方案來(lái)講,進(jìn)一步提高3個(gè)點(diǎn)的效率也很困難,通常要經(jīng)過(guò)一整代MOS管的更新?lián)Q代才能達(dá)到這個(gè)水平。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在15A可以做到87%,已經(jīng)很高,但TI可以做到90%以上。從TPS56121全范圍的效率曲線看,最底下的線是80%,在2A時(shí)是90%,15A還是在90%以上,16A略低于90%,這是在1MHz工作頻率下測(cè)到的結(jié)果。 在不同輸入電壓下,5V時(shí)比12V時(shí)的效率更高一點(diǎn)。左邊是TPS56221的效率,下圖是5V輸入電壓下的情況,紅線是往0.8V輸出,往上依次是1V、1.2V、1.8V、2.5V。2.5V效率已經(jīng)非常高了,基本在2A以內(nèi)都可以達(dá)到92%以上的效率,哪怕0.8V也可以做到80%以上的效率,最重的載效是85%左右。右邊15A的TPS56121效率曲線更平一點(diǎn)。0.8V這么低的電壓,在15V還可以做到90%。 ![]() TPS56221和TPS56121在5 Vin下的效率曲線 ![]() TPS56221設(shè)計(jì)實(shí)例 ![]() TPS56221的輸出電壓紋波曲線 |