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SDRAM存儲器讀寫速度較高，其單位容量的功耗較低，廣泛應(yīng)用在許多工程項目中，特別在雷達(dá)、圖像處理等需要高速度、大容量的數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，SDRAM存儲器有著廣泛的應(yīng)用價值。而單片SDRAM存儲器一般是直接焊接在電路板上，而且引腳較多、一旦遇上SDRAM存儲器工作故障，更換芯片比較麻煩，并且當(dāng)需要擴(kuò)充容量時修改電路也不方便。計算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲器，給實際電路的更改和存儲容量的擴(kuò)展帶來了極大的方便。本篇文章宇芯電子存儲芯片供應(yīng)商主要介紹關(guān)于SDRAM內(nèi)存條時序特點。 SDRAM內(nèi)存條時序特點 SDRAM內(nèi)存條的工作模式對時序要求嚴(yán)格，只有上電邏輯和模式設(shè)置正確才能進(jìn)入相應(yīng)的工作模式。訪問特定邏輯單元必須先激活相應(yīng)的存儲塊(BANK)，并鎖定對應(yīng)行、列地址。另外必須有定時的刷新邏輯保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。SDRAM內(nèi)存條的控制由一些專用控制引腳和地址線輔助完成CS/RASICAS/WR在時鐘上升沿的狀態(tài)決定具體操作動作，地址線和BANK選擇控制線在部分操作動作中作為輔助參數(shù)輸入。 1.1 上電邏輯和模式設(shè)置 SDRAM內(nèi)存條所有電源引腳必須同時加電，并且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標(biāo)稱值0.3V。加電完成后應(yīng)立即對所有BANK進(jìn)行預(yù)充電，然后等待20Ous以避免輸出總線上的數(shù)據(jù)沖突，等待期間要求DQM和CKE保持高電平。等待20Ous以后需要發(fā)出模式寄存器設(shè)置(MRS)命令以初始化模式寄存器，并附加八個自動刷新周期(CBR)以保證后續(xù)操作正常。模式寄存器設(shè)置命令使用地線和BANK選擇作為模式數(shù)據(jù)輸入線。其中AA,Ao為BURST長度，A為尋址模式，AAsA編碼為CL值，A為寫模式。模式寄存器的設(shè)置值必須與器件的延遲參數(shù)以及與讀寫操作的控制時序--致,否則將導(dǎo)致錯誤或不可靠的讀寫。 1.2存儲單元訪問 SDRAM內(nèi)存條采用地址線復(fù)用而減少I/O引腳數(shù)量。BANK激活周期鎖定行地址，讀寫操作命令發(fā)出時，鎖定列地址。任意讀寫操作前都必須有BANK激活命令，BANK激活命令激活相應(yīng)BANK并鎖存行地址，BANK激活命令到后續(xù)讀寫的延遲必須不小于tRCD。同時一旦BANK被激活后只有執(zhí)行一次預(yù)充命令后才能再次激活同一BANK。兩次激活的間隔不小于tRC。每次激活后BANK保持激活狀態(tài)的最長時間由指標(biāo)tRAS(max)決定。 1.3刷新邏輯和預(yù)充 SDRAM內(nèi)存條的存儲單元相當(dāng)于一-個電容，必須有定時的刷新周期以避免數(shù)據(jù)丟失，刷新控制器決定刷新的時間間隔，刷新計數(shù)器保證每個單元都能被刷新。當(dāng)然這意味著SDRAM內(nèi)存條的部分周期必須分配給刷新操作而降低系統(tǒng)性能，SDRAM內(nèi)存條可以采用自動刷新或自刷新，自動刷新實現(xiàn)較為簡單而自刷新功耗更小。預(yù)充對BANK 預(yù)充電或者關(guān)閉已激活的BANK，當(dāng)CS、RAS和WE為低而CAS為高時為預(yù)充命令，SDRAM內(nèi)存條既可分別預(yù)充特定BANK也可同時作用于所有BANK，A10、BS0和BS1用于選擇BANK。 |
| SDRAM存儲器讀寫速度較高，其單位容量的功耗較低，廣泛應(yīng)用在許多工程項目中，特別在雷達(dá)、圖像處理等需要高速度、大容量的數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，SDRAM存儲器有著廣泛的應(yīng)用價值。 |
| 單片SDRAM存儲器一般是直接焊接在電路板上，而且引腳較多、一旦遇上SDRAM存儲器工作故障，更換芯片比較麻煩，并且當(dāng)需要擴(kuò)充容量時修改電路也不方便。 |
| 在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲器，給實際電路的更改和存儲容量的擴(kuò)展帶來了極大的方便。 |
