據多方消息來源稱，開發納米壓印光刻技術的主要廠商之一Molecular Imprints已經開始裁員，受到此次裁員影響的人數約在20人左右。而導致該公司裁員的原因則是未能按時開發出可供下一代硬盤存儲技術位元圖案介質 (bit patterned media BPM)使用的納米壓印光刻技術。盡管最近業內對納米壓印光刻技術的樂觀情緒剛剛有所抬頭，許多人都認為納米壓印技術有機會在CMOS芯片制造領域，特別是NAND閃存芯片制造領域站穩腳跟，但這次裁員事件無疑給這種樂觀心態潑上了一盆冷水。
納米壓印技術原理圖 除了芯片制作領域之外，納米壓印技術的另一個潛在市場是硬盤盤片制作。目前硬盤盤片主要采用垂直記錄技術來存儲數據，這種硬盤的盤片仍采用濺射工藝制作，不過硬盤單碟容量很快會達到1TB的壁壘。為此以日立全球存儲公司和東芝公司為首的幾家公司提出了位元圖案介質技術(BPM:bit-patterned media)來取代現有的垂直記錄技術，據稱這種技術的單碟容量可達10TB水平。理論上說，納米壓印技術應該是制作BPM盤片的最佳選擇。不過實際情況是BPM技術似乎并沒有獲得大多數硬盤廠商的首肯，比如西數公司便曾公開表示這種技術不會實現批量生產，而且目前許多硬盤廠商也在努力延長垂直記錄技術的壽命（比如目前較為熱門的垂直記錄增強技術熱輔助磁記錄技術HAMR），如果他們在這方面的努力取得成功，那么BPM及納米壓印技術自然會成為回憶。 垂直記錄增強技術：HAMR簡介：
垂直記錄+HAMR盤片讀寫原理圖
隨著硬盤盤片存儲密度的增加，存儲信息用的磁顆粒尺寸也在不斷減小，而普通的小尺寸磁顆粒很容易在冷熱交變的工作環境下出現數據丟失的問題，為此需要提高磁顆粒的矯頑磁性（coercivity），但是矯頑磁性提升后普通的寫磁頭將無法完成數據寫入工作，因此需要利用磁顆粒的矯頑磁性可隨溫度上升而降低的特點，使用激光照射磁顆粒進行加熱，降低其矯頑磁性，然后再使用寫磁頭進行寫入。這就是HAMR技術得名的由來。 回到正題，Molecular Imprints公司的CEO Mark Melliar-Smith表示，他不愿意透露將被辭退的具體員工人數，不過他也沒有對外界盛傳的20位員工將被辭退的說法表示異議。“我們正在進行一次小裁員行動，而我們在CMOS芯片制造領域的成就其實仍在繼續進展。在磁盤盤片制造領域，有關技術正式推出的日期可能會比我們原先預計的要遲2-3年。不過對硬盤盤片制作領域而言，納米壓印光刻技術一定會被采用，這只是個時間上的問題。” Molecular Imprints公司(以下簡稱MII公司)在此次裁員之前，全公司的員工總數在120名左右。而過去幾年里，包括在最近一段時間的經濟危機大背景下，這家公司一直在擴充人馬，他們招聘了一批光刻研發專家，設備制造技術專家以及銷售人員等。這些情況與最近公司的裁員行動形成了驚人的反差。有消息來源稱，公司的戰略是準備開始在硬盤盤片制造領域取得顯著贏利，并計劃發行股票上市，然后再進入亞20nm CMOS光刻市場。 Melliar-Smith表示此次裁員涉及的人員多數并非工程類職員，而主要涉及因硬盤盤片制造用納米壓印技術無法及時推出而受到影響的業務人員。 MII公司將希望寄托在硬盤廠商對納米壓印光刻設備的興趣上，理論上講，位元圖像介質技術需要使用納米壓印光刻技術來制造盤片，這種技術不僅能滿足盤片性能方面的要求，而且還具備較高的產出量。目前以東芝為代表人物的一眾廠商仍在繼續開發BPM技術，不過實現BPM需要使用納米壓印光刻設備，而這類設備的成本則相比HAMR方案更貴,雖然HAMR技術的實現需要往硬盤中增加激光二極管寫入裝置，但這種裝置的成本僅數十美分左右。 日立全球存儲技術公司的BPM研發技術主要應用了兩種技術：納米壓印光刻和定向自組裝技術(DSA)，這兩種技術的組合可以在保證盤片存儲密度的前提下降低制造設備的成本。
MII公司為其BPM客戶開發的NuTera 7000型納米壓印設備 MII公司目前為止開發出的硬盤盤片制造用納米壓印光刻設備已經進化到了第三代產品，他們目前為止共售出了13臺這樣的設備。去年，他們向一家硬盤廠商售出了一臺NuTera HD7000型設備，預計今明兩年MII有望取得有數十部這套設備的訂單。 然而，數周前，由幾家硬盤廠商組成的聯盟組織公開宣布他們現在不打算在商用化市場使用BPM技術盤片。據某消息來源稱，當MII公司的投資者們聽說這個消息之后，便強烈要求MII公司進行裁員。 Melliar-Smith稱：”我們認為BPM是一項很有希望的技術。相信BPM和HAMR最終將并存，并將硬盤盤片的存儲密度提升到1-2TB/平方英寸的水平。“ Melliar-Smith曾在貝爾實驗室任技術經理，另外1990年代末他還曾為Sematech公司工作過數年，在今年的SPIE2011高級光刻技術會議上，他曾宣稱稱納米壓印技術在CMOS芯片制造方面取得了許多顯著進展。而東芝公司的研究人員也宣稱應用納米壓印技術制作的BPM盤片瑕疵密度已可達到每平方厘米0.1個的較低水平。而Sematech公司則在會上宣稱他們的納米壓印技術瑕疵率更低。 據消息來源透露，東芝的盤片制造技術采用的是MII的納米壓印機+佳能步進光刻機的組合。當被問及MII與佳能光刻部門的合作狀況時，Melliar-Smith承認MII正在與一家光刻設備廠商合作，不過他稱無法透露這家設備廠商的名字。另外他還狡猾地表示：”如果某家大型半導體芯片廠商希望在其高端CMOS芯片制造過程中使用納米壓印技術，他們當然不會孤注一擲，僅僅依靠我們這家在德州的小公司來達成目標。“ 另：納米壓印技術與極紫外光刻(EUV),電子束直寫(EBDW)和定向自組裝(DSA)并稱為下一代芯片光刻技術(NGL)的四大候選人，不過目前僅EUV顯出王者之像，除了芯片制造之外，納米壓印的另一項重要應用是用于制造BPM技術的硬盤盤片，目前制造納米壓印光刻設備的廠商主要有EV Group, Nanonex, Nanolithosolution, MII, Obducat以及Suss等幾家。 |
