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充電技術(shù)推動小米投資納微（Navitas）半導(dǎo)體 小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。 
雷軍在直播發(fā)布會上表示：“GaN（氮化鎵）作為一種新半導(dǎo)體材料，給充電器，帶來了無法想象的效果。它特別小，充電效率特別高，比小米10 Pro標(biāo)配的65W充電器再小了一半。” 雷軍為推廣氮化鎵技術(shù)，鼓勵消費(fèi)者和米粉們關(guān)注新時代充電技術(shù)變化。 據(jù)悉，小米早前就已投資納微(Navitas)半導(dǎo)體，為這次合作埋下伏筆。小米的投資策略是通過資金注入，確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，同時兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益。通過此次合作，納微(Navitas)半導(dǎo)體也得以拓寬銷售渠道。這正是小米扶持合作企業(yè)、推動制造業(yè)升級、帶動行業(yè)活力的證明，并最終發(fā)布了帶有GaNFast充電技術(shù)的小米Mi 10 PRO。 納微(Navitas)半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Gene SHERIDAN在會后表示：“非常高興看到小米對新材料，新技術(shù)所持的開放態(tài)度。納微半導(dǎo)體自成立以來就專注于GaN材料的技術(shù)運(yùn)用和創(chuàng)新，所開發(fā)的GaNFast功率IC是FET，驅(qū)動器和邏輯的單片集成，可實(shí)現(xiàn)極小的應(yīng)用尺寸和高效率。對于希望走在前端、引領(lǐng)技術(shù)潮流的廠商，GaNFast技術(shù)會為他們的產(chǎn)品注入高性能和差異化！” 納微(Navitas)半導(dǎo)體中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰則表示：“目前智能手機(jī)，平板電腦和筆記本電腦的電池容量不斷增加，另一方面，消費(fèi)者卻需要更快的充電體驗(yàn)，而GaNFast技術(shù)具有小尺寸、輕量和高效的優(yōu)勢，因而極具吸引力。GaNFast技術(shù)為業(yè)界帶來小巧、高效的充電器，可以為手機(jī)和筆記本電腦等電子產(chǎn)品快速充電。” 小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導(dǎo)體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它們針對高頻、軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，通過FET、驅(qū)動器和邏輯的單片集成，創(chuàng)建了非常小并且非常快的易于使用的 “數(shù)字輸入，電源輸出” 高性能電源轉(zhuǎn)化模塊。使用GaNFast技術(shù)，小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm（53 cc），是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。 |
