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P溝道增強型場效應管的導通條件是柵極電位低于漏極電位。柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導通。一般低于漏極電位15V就可以完全導通。壓差太大就會形成柵極擊穿。想關(guān)閉就要把柵極電位拉回漏極。結(jié)型場效應管只有（耗盡型）；MOS管有（增強型）和（耗盡型）。增強型：就是UGS=0V時漏源極之間沒有導電溝道，只有當UGS>開啟電壓(N溝道)或UGS<開啟電壓(P溝道)才可能出現(xiàn)導電溝道。耗盡型：就是UGS=0V時,漏源極之間存在導電溝道。 P溝道增強型場效應管的導通條件是柵極電位低于漏極電位。 柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導通。一般低于漏極電位15V就可以完全導通。壓差太大就會形成柵極擊穿。想關(guān)閉就要把柵極電位拉回漏極。 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 P溝道增強型場效應晶體管AO4443 www.dzsc.com/ic-detail/9_10684.html技術(shù)參數(shù) 包裝：管件 零件狀態(tài)：在售 類型：N溝道 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物） 漏源極電壓（Vdss）： 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：4A（Tc） 不同Id時的Vgs（th）（最大值）： 不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值）： 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）： 功能： 功率耗散（最大值）：25W（Tc） 不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）：2歐姆@2A，工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：通孔供應商器件封裝： 封裝/外殼：TO-220-3整包 |
