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目前正在開發新的肖特基技術,目標是克服平面和溝槽技術所受的由金屬-半導體轉換導致的反向電壓限制。Nexperia的路線圖預測肖特基整流器的反向電壓范圍將首先擴展到200V,最終高達600V。下面具體來了解一下。
肖特基整流器設計中最重要的創新之一就是采用CFP封裝,這種封裝具有很高的熱效率。封裝設計具有堅固的銅夾和裸露的散熱片,可降低封裝的熱阻并使熱量更好地傳遞到周圍環境:這有助于電源系統設計人員創建更小更薄的電路板設計。
這些封裝的額定正向電流最高可達15A。根據Nexperia路線圖,CFP封裝的整流器將來能夠處理30A以上的電流。與早期的SMA封裝器件相比,CFP3封裝可節省50%的空間。
除平面硅技術外,Nexperia還提供越來越多可選的硅整流器技術,經過調整以滿足特定應用的要求。溝槽肖特基整流器:這些高性能器件基于Nexperia現有的平面型產品系列,提供低反向電流和低正向電壓的組合。這樣可以提高熱穩定性并降低熱失控的風險。溝槽肖特基整流器的最高結溫為175°C,符合AEC-Q101標準。
具有低反向電流的肖特基整流器:這些肖特基整流器針對低反向電流進行了優化,適用于在高溫下需要熱穩定性的應用。
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