具有高效率和低漏電流的MOSFET

ningxueqin

　　Nexperia推出使用類肖特基技術(shù)的NextPowerS3MOSFET系列，類肖特基技術(shù)使得MOSFET能提供的高效率和低尖峰性能，但沒有肖特基二極管的高漏電流問題。這使得NextPowerS3器件特別適用于要求在高開關(guān)頻率下具有高效率的應(yīng)用。下面具體來了解一下。
　　近年來的趨勢是創(chuàng)建更快的開關(guān)MOSFET，以降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)電源的效率。然而，更快的開關(guān)可能會產(chǎn)生電壓尖峰、柵極耦合毛刺和可能的直通，從而產(chǎn)生EMI和可靠性問題。一種普遍的解決方案是將肖特基或者類肖特基二極管集成到MOSFET中，以使反向恢復(fù)損耗最小化。
　　肖特基二極管的缺點是高漏電流，特別是在高溫下，這會降低效率、縮短電池的壽命并降低制造過程中的缺陷篩選能力。
　　Nexperia的NextPowerS3系列結(jié)合了快速切換與軟恢復(fù)，解決了上述各種問題，提高了效率和功率密度，同時保持了電壓尖峰的控制并將漏電流限制在1μA以內(nèi)。
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