充電器芯片廠家?guī)�您：看下QC1.0到QC4.0的芯片

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快充技術(shù)面世以后發(fā)展的速度不可不稱為神速，不但各種各樣的快充如雨后春筍般冒出來，技術(shù)的更新?lián)Q代也非常的快。就比如高通的QC快充，短短的時間內(nèi)，現(xiàn)在都已經(jīng)到QC4.0的時代了，我們知道現(xiàn)在QC快充和PD快充是現(xiàn)在的兩大主流快充技術(shù)。今天我們回顧一下從QC1.0到QC4.0快充技術(shù)的發(fā)展歷程。
最早的5V0.5A充電就遠遠不夠看了，然后大家就開始一點點的提升充電器的功率。這個時候高通站出來了，直接搞了個5V2A，就這樣QC1.0就出來了。
5V2A充電器芯片TB6806的特點：
1.效率滿足六級能效要求
2.低待機功耗小于75mW
3.原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
4.QR-PSR控制提高工作效率
5.封裝：SOP-8和DIP-8

大屏智能手機還在繼續(xù)發(fā)展，電池續(xù)航能力還是跟不上，快充也成為了各大手機廠商的賣點之一，于是QC2.0誕生了。QC2.0打破了常規(guī)的5V充電電壓，直接提升到了9V/12V/20V，在與QC1.0保持相同2A電流下實現(xiàn)了18W大功率電力傳輸。
9V2A充電器芯片TB6818的特點：
1.原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
2.內(nèi)置環(huán)路補償，省去額外的補償或濾波電容
3.提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
4.多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
5.封裝：SOP-8

QC2.0把功率是提上去了，但是出現(xiàn)了兩個問題，第一個是由于電壓太高，充電的效率下降了，第二個是充電時熱量太大，于是高通又搞出了個QC3.0。
在QC2.0 9V/12V兩檔電壓基礎(chǔ)上，進一步細分電壓檔，采用獨特的電壓智能協(xié)商算法以200mV為一檔設(shè)定電壓，最低可下探至3.6V最高電壓20V，并且向下兼容QC2.0。然后使用Type-c接口取代原來的MicroUSB接口，最大電流也提升到了3A。這樣就把效率和充電都提高了，同時也降低了發(fā)熱率。
現(xiàn)在QC4.0已經(jīng)出來了，并把功率又提升至了28W，兼容USB PD協(xié)議，壓檔繼續(xù)細分以20mV為一檔。
12V3A充電器芯片TB3865的特點：
1.恒流控制支持CCM和DCM模式
2.自動補償輸入電壓.電感感量變化
3.±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
4.副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
5.封裝：SOT23-6

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