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肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。 肖特基勢壘指具有大的勢壘高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸（施敏, 半導體器件物理與工藝, 第二版, 7.1.2）。 肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。 金屬與n型半導體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面最大的區別在于具有較低的界面電壓，以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)空乏區寬度。由半導體到金屬，電子需要克服勢壘；而由金屬向半導體，電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導體一側的勢壘下降；相反，在加反向偏置時，半導體一側勢壘增高。使得金屬-半導體接觸具有整流作用(但不是一切金屬—半導體接觸均如此）。如果對于N型半導體,金屬的功函數大于半導體的功函數，對于P型半導體，金屬的功函數小于半導體的功函數，以及半導體雜質濃度不小于10^19/立方厘米數量級時會出現歐姆接觸，它會因雜質濃度高而發生隧道效應，以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘。當半導體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結的耗盡層寬度相一致。 優點 由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護電路上的其它器件。 然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應用的領域并不廣。 器件 肖特基二極管，肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。 肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管FET：金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導致肖特基勢壘，所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二極管或者晶體管等等。 肖特基勢壘二極管B0530WS-7-F http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2528.html的參數 肖特基勢壘二極管，300mA 至 1A，Diodes Inc超勢壘整流器 (SBR) 二極管是下一代整流器。 與類似肖特基二極管相比，該兩端子設備具有較低的正向電壓 (VF)。 同時具有 PN 外延二極管的熱穩定性和高可靠性特征。 二極管和整流器，Diodes Inc 二極管配置單路 大連續正向電流500mA 每片芯片元件數目1 峰值反向重復電壓30V 安裝類型表面貼裝 封裝類型SOD-323 二極管類型肖特基 引腳數目2 大正向電壓降450mV 長度1.8mm 寬度1.4mm 高度1.1mm 高工作溫度+125 °C 峰值反向電流500?A 尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm 峰值非重復正向浪涌電流2A 工作溫度-40 °C 
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