Diodes 公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開關(guān)電路，提供更高的功率密度設(shè)計。
DXTN07xxxxFG (NPN) 與 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工業(yè)級消費性市場為目標(biāo)，范圍涵蓋 25V 至 100V VCEO；同時具備 2W 總功率消耗及最高 +175°C 額定作業(yè)溫度。新款晶體管外殼采用小型 PowerDI®3333 表面黏著封裝，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，占用 PCB 的空間比傳統(tǒng) SOT223 少 70%，以散熱效率更高的封裝提供類似的功率消耗。 PowerDI3333 封裝具有可潤濕側(cè)翼 (wettable flank)，可提高 PCB 傳輸速率，促進焊接點的高速自動光學(xué)檢查 (AOI)，因此無需使用 X 光檢查。 全系列 DXTN07xxxxFG 與 DXTP07xxxxFG 裝置將于 2019 年第 1 季底通過汽車認(rèn)證后，開始供應(yīng)樣品。 詳細(xì)信息請參閱 www.diodes.com |
