MOS管SUD50P06-15-GE3的產品特性：

xunavc

MOS管SUD50P06-15-GE3  http://www.dzsc.com/ic-detail/9_97.html的產品特性：
VISHAY > MOS管
制造商        Vishay
產品種類        MOSFET
安裝風格        SMD/SMT
封裝/箱體        TO-252-3
通道數量        1Channel
晶體管極性        P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓        60V
Id-連續漏極電流        50A
RdsOn-漏源導通電阻        15mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓        3V
Vgs-柵極-源極電壓        20V
Qg-柵極電荷        165nC
最小工作溫度        -55C
最大工作溫度        +150C
配置        Single
Pd-功率耗散        113W
通道模式        Enhancement
商標名        TrenchFET
封裝        CutTape
封裝        Reel
高度        2.38mm
長度        6.73mm
系列        SUD
寬度        6.22mm
商標        Vishay/Siliconix
正向跨導-最小值        61S
下降時間        175ns
產品類型        MOSFET
上升時間        70ns
工廠包裝數量        2000
子類別        MOSFETs
典型關閉延遲時間        175ns
典型接通延遲時間        15ns
單位重量        1.438g