銀聯(lián)寶科技電源芯片TB6812能否替代賽威SF6773V呢？

花海石

          為什么做電源方面的客戶們會想找替代的電源芯片呢？小編總結(jié)以下2小點：
1.客戶原來的電源芯片不符合案子的具體要求；
2.客戶覺得原來的芯片成本太高，想找一款能替代芯片來降低成本。
現(xiàn)在讓小編我推薦銀聯(lián)寶科技電源芯片TB6812能替代賽威SF6773V，并腳位兼容的理由吧。
一、相同點：
1.通過圖片顯示，都是SOP-7,有第三個腳不一樣，可以腳位兼容


2.功率相同，都是能做12W，內(nèi)置650V高壓MOS，具有六級能效標(biāo)準(zhǔn)
3.功能方面相同，具有內(nèi)置軟啟動，超低啟動電流，管腳浮空保護，逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱，VDD欠壓保護，過壓保護及鉗位。
二、不同點：
1.芯片TB6812待機功耗<70MW,SF6773V待機功耗<75MW。
2.芯片TB6812系統(tǒng)可以做到±4%，芯片SF6773V系統(tǒng)可以做到±5%
3.芯片TB6812顯著的優(yōu)勢是具有專利的EMI優(yōu)化，EMI優(yōu)化有以下兩點特點：
*優(yōu)化的動態(tài)控制：優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力
*優(yōu)化的環(huán)路控制：工作穩(wěn)定、無異音、SR（同步整流）兼容性高
三、芯片TB6812內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。該芯片處于開關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測VDET<-400mV，控制器驅(qū)動功率MOSFET開啟；當(dāng)芯片檢測到功率MOSFET流過的電流降低到閾值-10mV時，控制器驅(qū)動功率MOSFET關(guān)閉。該芯片提供了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、輸出過壓鉗位和輸出欠壓提醒等功能。內(nèi)置高壓啟動電路可支持系統(tǒng)輸出電壓低至2V時，該芯片仍能正常。


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