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一、MOS管簡(jiǎn)介:
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。
二、MOS管的基本結(jié)構(gòu):
在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。
MOS管的基本特性:
MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論:
1) MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件,所以是電壓器件。
2) MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。
4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則;
四、MOS管的的測(cè)試
作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí),一般是采用普通的萬(wàn)用表來(lái)判斷三極管或者二極管的好壞,雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒(méi)法確認(rèn),但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒(méi)有問(wèn)題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬(wàn)用表來(lái)判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來(lái)說(shuō),也可以滿足需求了。
檢測(cè)必須采用指針式萬(wàn)用表(數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的)。對(duì)于功率型MOSFET開(kāi)關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型,各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式(指用于開(kāi)關(guān)電源中功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管),其三個(gè)電極排列也一致,即將三只引腳向下,打印型號(hào)面向自巳,左側(cè)引腳為柵極,右測(cè)引腳為源極,中間引腳為漏極。
以上是對(duì)低壓MOS管的簡(jiǎn)單講解,要想了解關(guān)于低壓MOS管的深入信息,就跟銀聯(lián)寶科技一起學(xué)習(xí)吧!
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