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高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212成熟型方案替換亞成微 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212 是一款符合 6 級能效標(biāo)準(zhǔn)的次級反饋，反激式 AC-DC 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片。芯片內(nèi)置高壓功率管，芯片內(nèi)還包含有準(zhǔn)諧振檢測、SLEEP 超低待機、自供電等電路，并具有輸出短路、次級開路、過溫、過壓等保護功能。芯片采用高集成度的 CMOS 電路設(shè)計，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個繞組）等特點。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212產(chǎn)品特點 全電壓輸入 85V—265V。 內(nèi)置 700V 功率管。 專利的自供電技術(shù)，變壓器無需外部供電繞組, 無需啟動電阻( 降低成品成本) 。 特有的 SLEEP 技術(shù)使芯片具有超低的待機功耗。 內(nèi)置 PWM 準(zhǔn)諧振電路，增加電源轉(zhuǎn)換效率和保證良好的 EMC 特性。 過溫、過流、過壓以及輸出短路，次級開路，光耦失效保護。 4KV 防靜電 ESD 測試。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212應(yīng)用領(lǐng)域 12W 以下 AC-DC 應(yīng)用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調(diào)、DVD、機頂盒等家 電產(chǎn)品。 極限參數(shù) 供電電壓 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 電 電 流 VDD …………………………………………………………………. 100mA 引腳電壓 …………………………………………………..... -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 壓 …………………………………………………………... -0.3V--730V IS 最 大 電 壓 ....……………………………………………………………… 400mV 總 耗 散 功 率 ………………………………………………………………1000mW 工作溫度 ………………………………………………………. -25 ? C--+125 ? C 儲存溫度 ………………………………………………………. -55 ? C--+150 ? C 焊接溫度 …………………………………………………………….+280 ? C/5S 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212上電啟動: 芯片內(nèi)置高壓啟動電流源；上電啟動時當(dāng) VDD 電壓小于啟動電壓時，打開三極管對外部的 VDD 儲能電容 C4 充電。當(dāng) VDD 電壓達(dá)到啟動電壓 VCC_St ar t 的時候，關(guān)閉啟動電流源, 啟動過程結(jié)束，控制邏輯開始輸出 PWM 脈沖并檢測 I S 電阻，當(dāng) I S 接電阻 RS 對地時, 設(shè)定最大峰值電流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m 是 I C6 腳內(nèi)部檢測電壓最大值) ；當(dāng) I S 腳直接接地時，設(shè)定最大峰值電流為 I p_Max=700mA ； 軟啟動: 上電啟動結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整流管應(yīng)力過大，芯片內(nèi)置軟啟動電路，在軟啟動時初級峰值電流最大為 0. 5 倍最大峰值電流。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212采用準(zhǔn)諧振輸出方式，當(dāng)檢測到 OC 諧振到最低電壓時，開通 PWM 輸出，打開開關(guān)管給電感充電，這樣減小了開關(guān)管的開關(guān)損耗，提高了電源的轉(zhuǎn)換效率。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212FB 檢測和反饋控制: Fb 引腳外部連接一只電容，以平滑F(xiàn)b 電壓，外接電容會影響到電路的反饋瞬態(tài)特性及電路的穩(wěn)定工作，典型應(yīng)用可在1nF～10nF 之間選擇；芯片依據(jù)FB電壓控制PWM輸出峰值電流和工作頻率。 SLEEP 模式: 為實現(xiàn)超低待機功耗，芯片設(shè)計了 SLEEP 模式時，當(dāng)輸出功率逐漸下降到 50mW 以下時，芯片進入 SLEEP 模式。可以實現(xiàn)系統(tǒng)超低的待機功耗（<60mW）。 自供電： 芯片使用了專利的自供電技術(shù)，控制VDD的電壓在4. 7V 左右，提供芯片本身的電流消耗，無需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線路提供能量。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212過溫保護（OTP）： 芯片在內(nèi)部集成了過溫保護功能，如果因外部溫度過高或者其它異常原因造成芯片溫度過高，檢測到芯片溫度超過 130℃，立即啟動過溫保護，停止輸出脈沖，關(guān)斷功率管并進入異常保護模式，溫度異常解除后恢復(fù)正常工作。 初級過流保護： 外部變壓器初級線圈的電流過大時，軟啟動結(jié)束后，如果在 PWM 開通 500ns 時檢測 到初級線圈電流達(dá)到最大峰值電流 I p_Max ，芯片立即關(guān)斷功率管, 進入異常保護模式。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212 供電電源異常： 因外部異常導(dǎo)致VCC電壓低于VCC_Mi n 時，芯片將關(guān)斷功率管，進行重新啟動。 因外部異常導(dǎo)致VCC電壓高于VCC_Max時，立即啟動VCC過壓保護，停止輸出脈沖并進入異常保護模式。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212短路和過載保護（OCP）: 次級輸出短路或者過載時，如果 FB 電壓連續(xù) 0. 8S 低于短路保護閥值 Vf b_L; 芯片 立即關(guān)斷功率管, 進入異常保護模式。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式: 芯片進入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動 800ms 定時器。在 800ms 內(nèi)，VCC 電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式: 芯片進入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動 800ms 定時器。在 800ms 內(nèi)，VCC 電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。 高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212我們可以通過磁芯的制造商提供的圖表進行選擇，EE19的AP=1243mm^4, EF20 的 AP=2231mm^4, 從設(shè)計性能優(yōu)化角度以及為改善EMI 設(shè)計增加初、次級屏蔽層來選擇，可以選擇EF20這款變壓器(AE=33. 5, 屬于標(biāo)稱值，請按實物測量為準(zhǔn)) ，這樣變壓器生產(chǎn)和效率，散熱上更有優(yōu)勢。 |
