成本上升，銀聯(lián)寶科技電源芯片為何仍然質(zhì)優(yōu)價低？

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國產(chǎn)芯片曾經(jīng)是“價廉質(zhì)差”的代名詞。但隨著中國經(jīng)濟發(fā)展，電源芯片領(lǐng)域的質(zhì)量在逐年提高，讓產(chǎn)品耐用程度已經(jīng)達到工藝水準(zhǔn)。可為何在成本不斷增加的當(dāng)下，銀聯(lián)寶科技芯片依然能做到品優(yōu)價低？結(jié)論是：銀聯(lián)寶科技通過“低成本操控”方式來極力控制無謂浪費來實現(xiàn)芯片低價格，確保廠家的產(chǎn)品質(zhì)量達到市場所需的最基本標(biāo)準(zhǔn)。
小編介紹銀聯(lián)寶科技其中一款質(zhì)優(yōu)價低的開關(guān)電源芯片TB6812的概況吧。
開關(guān)電源芯片TB6812是一款六級能效，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價比的芯片。采用SOP-7的封裝。用于充電器、適配器等這類電子產(chǎn)品。該芯片具有多模式控制（PSR）的特點，內(nèi)置650V高雪崩能力的MOSFET，主要運用在5V 1A/5V 3A等電源適配器上。TB6812顯著的優(yōu)勢是具有專利的EMI優(yōu)化，EMI優(yōu)化有以下兩點特點：
*優(yōu)化的動態(tài)控制：優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力
*優(yōu)化的環(huán)路控制：工作穩(wěn)定、無異音、SR（同步整流）兼容性高
開關(guān)電源芯片TB6812內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。該芯片處于開關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測VDET<-400mV，控制器驅(qū)動功率MOSFET開啟；當(dāng)芯片檢測到功率MOSFET流過的電流降低到閾值-10mV時，控制器驅(qū)動功率MOSFET關(guān)閉。該芯片提供了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、輸出過壓鉗位和輸出欠壓提醒等功能。內(nèi)置高壓啟動電路可支持系統(tǒng)輸出電壓低至2V時，該芯片仍能正常。

銀聯(lián)寶科技不是一味追求高品質(zhì)目標(biāo)，而是瞄準(zhǔn)最終端用戶所需的最低品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。并且，他們擅長利用這一標(biāo)準(zhǔn)來降低成本。所以銀聯(lián)寶科技是您電源芯片的平臺，我們將為您提供高效、方便、理想的服務(wù)，為您提供實惠的價格。銀聯(lián)寶團隊將為您提供合理的建議。