0.635mm厚度斯利通陶瓷電路基板

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　　LED封裝方式是以芯片借由打線、共晶或覆晶的封裝技術與其散熱基板連結而成LED芯片，再將芯片固定于系統板上連結成燈源模組。　　目前，LED封裝方法大致可區分為透鏡式以及反射杯式，其中透鏡的成型可以是模塑成型透鏡黏合成型；而反射杯式芯片則多由混膠、點膠、封裝成型；近年來磊晶、固晶及封裝設計逐漸成熟，LED的芯片尺寸與結構逐年微小化，高功率單顆芯片功率達1~3W，甚至是3W以上，當LED功率不斷提升，對于LED芯片載版及系統電路版的散熱及耐熱要求，便日益嚴苛。
　　鑒于絕緣、耐壓、散熱與耐熱等綜合考量，氮化鋁陶瓷基板成為以芯片次黏著技術的重要材料之一。其技術可分為厚膜工藝、低溫共燒工藝與薄膜工藝等方式制成。然而，厚膜工藝與低溫共燒工藝，是利用網印技術與高溫工藝燒結，易產生線路粗糙、對位不精準、與收縮比例問題，若針對線路越來越精細的高功率LED產品，或是要求對位準確的共晶或覆晶工藝生產的LED產品而言，厚膜與低溫共燒的氮化鋁陶瓷基板，己逐漸不敷使用。
　　為此，高散熱系數薄膜陶瓷散熱基板，運用濺鍍、電／化學沉積，以及黃光微影工藝而成，具備金屬線路精準、材料系統穩定等特性，適用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的發展趨勢，更是解決了共晶／覆晶封裝工藝對陶瓷基板金屬線路解析度與精確度的嚴苛要求。當LED芯片以氮化鋁陶瓷作為載板時，此LED模組的散熱瓶頸則轉至系統電路板，其將熱能由LED芯片傳至散熱鰭片及大氣中，隨著LED芯片功能的逐漸提升，材料亦逐漸由FR-4轉變至金屬芯印刷電路基板，但隨著高功率LED的需求進展，MCPCB材質的散熱系數(2~4W/mk)無法用于更高功率的產品，為此，氮化鋁陶瓷電路板的需求便逐漸普及，為確保LED產品在高功率運作下的材料穩定性與光衰穩定性，以氮化鋁陶瓷作為散熱及金屬布線基板的趨勢已日漸明朗。氮化鋁陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用氮化鋁陶瓷高散熱系數特性下，節省材料使用面積以降低生產成本，成為陶瓷LED發展的重要指標之一。因此，近年來，以氮化鋁陶瓷材料COB設計整合多晶封裝與系統線路亦逐漸受到各封裝與系統廠商的重視。
　　COB，在電子制造業里并不是一項新鮮的技術，是指直接將裸外延片黏貼在電路板上，并將導線／焊線直接焊接在PCB的鍍金線路上，也是俗稱中的打線，再透過封膠的技術，有效的將IC制造過程中的封裝步驟轉移到電路板上直接組裝。在LED產業中，由于現代科技產品越來越講究輕薄與高可攜性，此外，為了節省多顆LED芯片設計的系統板空間問題，在高功率LED系統需求中，便開發出直接將芯片黏貼于系統板的COB技術。
　　COB的優點在于：高成本效益、線路設計簡單、節省系統板空間等，但亦存在著芯片整合亮度、色溫調和與系統整合的技術門檻。以25W的LED為例，傳統高功率25W的LED光源，須采用25顆1W的LED芯片封裝成25顆LED元件，而COB封裝是將25顆1W的LED芯片封裝在單一芯片中，因此需要的二次光學透鏡將從25片縮減為1片，有助于縮小光源面積、縮減材料、系統成本，進而可簡化光源系二次光學設計并節省組裝人力成本。此外，高功率COB封裝僅需單顆高功率LED即可取代多顆1瓦(含)以上LED封裝，促使產品體積更加輕薄短小。
　　目前市面上，生產COB產品仍以使用MCPCB基板為主，然而MCPCB仍有許多散熱以及光源面積過大的問題須解決，故其根本之道，還是從散熱材料更新為有效的解決方案。氮化鋁陶瓷COB基板有以下幾個優勢：
（1）更高的熱導率和更匹配的熱膨脹系數；
（2）更牢、更低阻的導電金屬膜層；
（3）基板的可焊性與耐焊性好，使用溫度范圍廣；
（4）絕緣性好；（5）導電層厚度在1μm～1mm內可調；
（6）高頻損耗小，可進行高頻電路的設計和組裝；
（7）可進行高密度組裝，線/間距（L/S）分辨率可以達到20μm,從而實現設備的短、小、輕、薄化；
（8）不含有機成分，耐宇宙射線，在航空航天方面可靠性高，使用壽命長；
（9）銅層不含氧化層，可以在還原性氣氛中長期使用。
（10）三維基板、三維布線。

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