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來源：快科技 按照IHS的說法，今年3季度，三星在半導(dǎo)體方面的總營收超越了英特爾，拿下“新一哥”的稱號。 同時值得注意的是，三星在半導(dǎo)體投資/資本支出方面的手筆也是出奇的高。 據(jù)IC Insights，去年三星在半導(dǎo)體方面花了113億美元，今年預(yù)計達到260億美元（約合1724億元），也就是翻番。 更驚人的是，這260億美元超越了英特爾和臺積電投資量的總和。 資料顯示，2010年的時候，三星對半導(dǎo)體的投資首次超過了100億美元，此后就一發(fā)不可收拾。 IC Insights估算，三星在第四季度的半導(dǎo)體資本支出額是86億美元，占到整個半導(dǎo)體業(yè)界綜合33%。 那么這些錢花到哪里了呢？ Digitimes稱，140億美元投入在了3D NAND閃存方面，70億美元用于DRAM內(nèi)存，還有50億美元則是用于10nm等先進制造工藝方面。 報道稱，這些瘋狂的投資還有一個非常關(guān)鍵的目的是狙擊準備爆發(fā)的中國產(chǎn)存儲器項目，比如紫光主導(dǎo)的武漢存儲器基地（3D NAND），總投資240億美元；兆易創(chuàng)新在合肥的DRAM顆粒廠，總投資180億人民幣。 雖然看起來我國的投資規(guī)模也不小，甚至不輸給三星，但區(qū)別在于，對方早已是產(chǎn)業(yè)鏈的深喉玩家，是巨人，而我們則只能算是初出茅廬。 |
