高壓瓷片電容器的絕緣電阻

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高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質材料配方、工藝過程（燒結）和測量時的溫度。所有介質的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內可以觀察到一個非常大的下降過程。

    測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小 是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關系加以說明。歐姆定律表述了導體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關系：

                              I = V/R

但是，電阻（R）是一個與尺寸有關的物理量，也與材料本征的電阻率有關，如下所示：

                               R = ρL/A

這里 L = 導體長度 A = 導體橫截面積。因此電流（I）可以表示為： I = VA/ρL

高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關系式表示：I = VA’/ρt   ，這里 V = 測試電壓 A’ = 有效電極面積ρ= 介質電阻率 t = 介質層厚度

從上面關系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質層厚度（和電阻率），即：i ∝ A’/t

類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質層厚度，即：C = KA’/4.452t （這里 K = 介電常數 A’ = 有效電極面積 t = 介質層厚度）

因此 C ∝ A’/t 以及 i ∝ C

漏電流（i）與絕緣電阻成反比，即：IR ∝ 1/C

基于上述關系，可以歸納出以下幾點：

1．絕緣電阻是測試電壓的函數，漏電流正比于外加電壓：i = VA’/ρt 或 IR =ρt/VA’

2. 對于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質材料本征的電阻率（ρ），也依賴于材料配方和測量時的溫度。

3. 電容器絕緣電阻（IR）的測量值與電容量成反比，也就是說，IR是電容量的函數，因此，工業應用中產品IR的標準是由電阻（R）和容量（C）, （R×C），所決定的，如下表所示。EIA標準要求產品在25℃時R×C超過1000歐姆-法拉（通常表示成1000兆歐-微法），在125℃時超過 100歐姆-法拉。

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高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質材料配方;工藝過程（燒結）和測量時的溫度,絕緣電阻是測試電壓的函數,測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關系,電容量值與絕緣電阻成反比,即電容量越高,絕緣電阻越低.