英飛凌與臺積電(TSMC)今日共同宣布,雙方將在研發和生產領域擴大合作,攜手開發面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據該項協議,英飛凌與臺積電將攜手開發65納米工藝技術,用于生產符合汽車行業嚴格的質量要求及芯片卡和安全行業苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。 與TSMC擴大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發65納米以下工藝的戰略。對于汽車應用而言,65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度,實現即將出臺的安全和排放標準規定的性能和特性。對于芯片卡和安全應用而言,65納米嵌入式閃存工藝,是英飛凌打造定制安全系統,以最佳性價比實現適當程度的安全性和克服智能卡外形局限性的創新重點的重要支撐。 安全MCU批量生產之前的工藝和產品審核,預計將于2012年下半年完成。汽車MCU生產工藝預計2013年上半年完成審核并投入生產。采用65納米嵌入式閃存工藝生產的面向汽車應用的首批產品,將被納入英飛凌TriCore™ 32位MCU產品系列。對于芯片卡和安全應用而言,TSMC將為英飛凌廣博的安全微控制器提供接觸式和非接觸式接口或是兩用式接口。 在工業和固網通信等應用領域,英飛凌已與TSMC保持了十多年的生產合作。大約兩年前,TSMC與英飛凌簽訂了一份制造協議,采用TSMC 65納米低功耗工藝為英飛凌生產手機芯片。雙方在此基礎之上,將合作范圍進一步擴大至汽車和芯片卡應用產品,印證了雙方建立強大的開發聯盟和保持長期生產合作的堅定承諾。 英飛凌是2008年獲得了總價值約為183億美元的全球汽車電子市場9.5%的份額的兩大領導廠商之一。在芯片卡半導體領域,英飛凌全球排名第一,2008年占有該市場(總銷售額24億美元)25.5%的份額。 TSMC能提供符合 AEC-Q100 規范的 0.25 微米及 0.18 微米嵌入式閃存知識產權,是全球目前唯一有此能力的專業集成電路制造服務公司。 |