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CCD與CMOS影像感光元件結構透視與分析

發(fā)布時間:2010-12-18 18:41    發(fā)布者:designer
關鍵詞: CCD , CMOS , 感光元件 , 影像
CCD和CMOS感光元件的區(qū)別Mr.OH!在第二講中概略地介紹了CCD與CMOS,但對于大多數的同學來說,看得到的卻是一顆顆已經整合好的晶片組合!內部詳細的結構,以及到底是如何運作產生我們看到的一幅幅數位照片,且我們撇開復雜的技術文字,透過圖片比較,來看這兩種不同類型,作用卻又相同的影像感光元件.









OlympusE1CCD感光套件(包含超音波除塵器)放大器位置和數量比較CCD和CMOS的結構,放大器的位置和數量是最大的不同之處,Mr.OH!會在下一講CCD感光元件工作原理(上),提及完整的感光元件作業(yè)流程。此講中,Mr.OH!簡單地解釋:CCD每曝光一次,自快門關閉或是內部時脈自動斷線(電子快門)后,即進行畫素轉移處理,將每一行中每一個畫素(pixel)的電荷信號依序傳入『緩沖器(電荷儲存器)』中,由底端的線路導引輸出至CCD旁的放大器進行放大,再串聯ADC(類比數位資料轉換器)輸出;相對地,CMOS的設計中每個畫素旁就直接連著『放大器』,光電訊號可直接放大再經由BUS通路移動至ADC中轉換成數位資料。CCD與CMOS的比較

由于構造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在于充分保





持信號在傳輸時不失真(專屬通道設計),透過每一個畫素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設計,因此必須先行放大再整合各個畫素的資料。






CCD與CMOS電路結構之完整比較(摘錄自SHARP月刊)差異分析整體來說,CCD與CMOS兩種設計的應用,反應在成像效果上,形成包括ISO感光度、制造成本、解析度、雜訊與耗電量等,不同類型的差異:ISO感光度差異:由于CMOS每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路,過多的額外設備壓縮單一畫素的感光區(qū)域的表面積,因此在相同畫素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。 成本差異:CMOS應用半導體工業(yè)常用的MOS制程,可以一次整合全部周邊設施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負擔的成本和良率的損失;相對地CCD采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個畫素故障(Fail),就會導致一整排的訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加ADC等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。 解析度差異:在第一點『感光度差異』中,由于CMOS每個畫素的結構比CCD復雜,其感光開口不及CCD大,相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優(yōu)于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS感光原件已經可達到1400萬畫素/全片幅的設計,CMOS技術在量率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅24mm-by-36mm這樣的大小。 雜訊差異:由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器,如果以百萬畫素計,那么就需要百萬個以上的ADC放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的雜訊就比較多。 耗電量差異:CMOS的影像電荷驅動方式為主動式,感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式,必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此CCD還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度,高驅動電壓使CCD的電量遠高于CMOS。其他差異:IPA(IndiviualPixelAddressing)常被使用在數位變焦放大之中,CMOS必須仰賴x,y畫面定位放大處理,否則由于個別畫素放大器之誤差,容易產生畫面不平整的問題。制造機具上,CCD必須特別訂制的機臺才能制造,也因此生產高畫素的CCD元件產生不出日本和美國,CMOS的生產一般記憶體/處理器機臺即可擔負。











FillFactorCMOS開創(chuàng)新未來CMOS完整3D透視與平面結構,位于最上層的為MicroLens微型聚光鏡片盡管CCD在影像品質等各方面均優(yōu)于CMOS,但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。由于數位影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩(wěn)定供貨,成為廠商的最愛,也因此其制造技術不斷地改良更新,使得CCD與CMOS兩者的差異逐漸縮小。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標,以期進入照相手機的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統(tǒng)合,藉由后續(xù)的影像處理修正雜訊以及畫質表現,特別是Canon系列的EOSD30、EOS300D的成功,足見高速影像處理晶片已經可以勝任高畫素CMOS所產生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以KodakDCSPro14n、DCSPro/n、DCSPro/c這一系列的數位機身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產品,前景可期。
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