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ST首批整合其高性能8位架構(gòu)和超低功耗創(chuàng)新技術(shù)的8位微控制器開始量產(chǎn)。以節(jié)省運(yùn)行和待機(jī)功耗為特色，STM8L系列下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線，共計(jì)26款產(chǎn)品，涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。 這三條STM8L產(chǎn)品線都基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺，這個(gè)平臺采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程。獨(dú)一無二的技術(shù)優(yōu)勢包括在 1.65V到3.6V的整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)達(dá)到CPU最大工作頻率，發(fā)揮CPU的全部性能。此外，由于采用一個(gè)片上穩(wěn)壓器，功耗與Vdd電壓無關(guān)，所以具有更高的設(shè)計(jì)靈活性，并有助于簡化產(chǎn)品設(shè)計(jì)。 其它創(chuàng)新特性包括低功耗嵌入式非易失性存儲器和多個(gè)電源管理模式，包括5.4μA低功耗運(yùn)行模式、3.3μA低功耗待機(jī)模式、1μA主動(dòng)停止模式（實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行）和350nA停止模式。STM8L可以在4μs內(nèi)從停止模式喚醒，支持頻繁使用最低功耗模式。低功耗外設(shè)，包括小于1μA的實(shí)時(shí)時(shí)鐘和自動(dòng)喚醒（AWU）模塊，有助于進(jìn)一步節(jié)省電能。總之，這個(gè)平臺可將動(dòng)態(tài)電流消耗降到150μA/MHz。 這個(gè)低功耗平臺的另一個(gè)特性：確保集成的模擬電路在低至1.8V工作電壓仍可操作，在整個(gè)Vdd電壓范圍內(nèi)最大化微控制器的功能。 開發(fā)工程師還將獲益于STM8L全系列器件在引腳和軟件上的兼容性，以及與意法半導(dǎo)體的STM32系列32位微控制器共用外設(shè)接口所帶來的設(shè)計(jì)靈活性與擴(kuò)展性。 STM8L101系列是STM8L超低功耗8位微控制器的入門級產(chǎn)品，特色是在一個(gè)超小的封裝內(nèi)取得很高的集成度，閃存密度高達(dá)8KB，有20引腳、28引腳和32引腳封裝可選。 第二個(gè)產(chǎn)品線STM8L15x目前正在向客戶提供測試樣片，增加32KB片上閃存、最大達(dá)2KB 的SRAM、外部晶振/時(shí)鐘功能、增強(qiáng)型復(fù)位以及直接存儲存取（DMA）支持等功能。STM8L15x還增多個(gè)外設(shè)接口，包括一個(gè)電機(jī)控制計(jì)時(shí)器、更多的模擬功能、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和快速模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換功能。片上EEPROM具有真正的讀寫同步（RWW）功能，省去在閃存內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜且昂貴的仿真測試。 第三個(gè)產(chǎn)品線STM8L152多集成一個(gè)液晶顯示器控制單元。STM8L151和STM8L152兩條產(chǎn)品線擬定于2010年初開始量產(chǎn)。 詳細(xì)技術(shù)信息 超低功耗技術(shù)平臺是意法半導(dǎo)體針對8位和32位微控制器開發(fā)的，發(fā)布于2009年6月。該技術(shù)平臺基于意法半導(dǎo)體獨(dú)有的針對超低泄漏電流優(yōu)化的130nm 制程，除現(xiàn)有的節(jié)能型微控制器設(shè)計(jì)技術(shù)外，平臺還集成創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器和模擬電路。獨(dú)有的優(yōu)點(diǎn)包括在整個(gè)電源電壓（Vdd）范圍內(nèi)支持最高的工作頻率，功耗高低與Vdd電壓無關(guān)，為開發(fā)人員提供了更高的設(shè)計(jì)的靈活性，并有助于簡化設(shè)計(jì)。 此外，配備多種低功耗模式使STM8L微控制器能夠?qū)崿F(xiàn)從完全關(guān)閉到超低頻率下持續(xù)監(jiān)視的不同運(yùn)行要求的應(yīng)用。外設(shè)時(shí)鐘門控可進(jìn)一步降低整體運(yùn)行和等待兩種模式的電流消耗。 超低功耗平臺還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)先進(jìn)而靈活的支持多個(gè)內(nèi)外時(shí)鐘源的時(shí)鐘系統(tǒng)。這個(gè)特性讓開發(fā)人員實(shí)時(shí)優(yōu)化頻率和時(shí)鐘源，盡可能以最低的功耗滿足應(yīng)用需求。 當(dāng)需要經(jīng)常或頻繁使用系統(tǒng)喚醒功能時(shí)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘和自動(dòng)喚醒（AWU）單元小于1μA、最低功耗模式喚醒少于4μs等特性可確保高能效運(yùn)行。片上集成的系統(tǒng)安全保護(hù)特性也是為超低功耗優(yōu)化的，包括上電復(fù)位（POR/PDR）以及一個(gè)可選的激活欠壓復(fù)位（BOR）。 STM8L151和STM8L152系列的片上DMA特性使外設(shè)可以獨(dú)立于內(nèi)核工作。通過關(guān)閉閃存和CPU，只讓必要的外設(shè)處于運(yùn)行狀態(tài)，可以節(jié)省更多的電能。 所有的STM8L產(chǎn)品還受益于意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的8位STM8微控制器架構(gòu)。16位索引寄存器、16MB線性地址空間，和以16MHz頻率實(shí)現(xiàn)16 CISC MIPS處理速度的高每指令周期效率等特性，是STM8架構(gòu)出色的性能。 所有STM8L產(chǎn)品都可在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)工作。此外，意法半導(dǎo)體還提供最高工作溫度+125°C的耐高溫 |
