ST今日發(fā)布首批超低功耗8位MCU

發(fā)布時間：2009-9-14 13:48 發(fā)布者：老郭

關鍵詞： MCU , 功耗

本帖最后由老郭于 2009-9-14 16:41 編輯

今天上午去參加ST的新聞發(fā)布會，ST宣布首批超低功耗8位MCU開始量產(chǎn)。這是一個業(yè)界比較重要的消息。慢慢整理一下。先看新聞稿:

2009年9月14日，意法半導體宣布，首批整合其高性能8位架構和最近發(fā)布的超低功耗創(chuàng)新技術的8位微控制器開始量產(chǎn)。以節(jié)省運行和待機功耗為特色，STM8L系列下設三個產(chǎn)品線，共計26款產(chǎn)品，涵蓋多種高性能和多功能應用。

設計工程師利用全新的STM8L系列可提高終端產(chǎn)品的性能和功能，同時還能滿足以市場為導向的需求，例如，終端用戶對節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品的需求，便攜設備、各種醫(yī)療設備、工業(yè)設備、電子計量設備、感應或安保設備對電池使用周期的要求。設計人員將選擇STM8L這類超低功耗的微控制器，以符合低功耗產(chǎn)品設計標準，如“能源之星”、IEA的“1W節(jié)能計劃”或歐盟的EuP法令。

“意法半導體在技術創(chuàng)新上投入了大量資金，發(fā)展出支持STM8L新產(chǎn)品線的超低功耗平臺，并凸顯我們在這個高速增長的應用領域滿足設計人員需求的承諾，” 意法半導體微控制器產(chǎn)品部總經(jīng)理Jim Nicholas表示，“這項創(chuàng)新技術結合STM8架構的高性能，構成一個無懈可擊的價值主張，使設備廠商能夠設計技術先進、有成本競爭力的終端產(chǎn)品。”

這三條STM8L產(chǎn)品線都基于意法半導體的超低功耗技術平臺，這個平臺采用意法半導體獨有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程。獨一無二的技術優(yōu)勢包括在1.65V到3.6V的整個電源電壓范圍內(nèi)達到CPU最大工作頻率，發(fā)揮CPU的全部性能。此外，由于采用一個片上穩(wěn)壓器，功耗與Vdd電壓無關，所以具有更高的設計靈活性，并有助于簡化產(chǎn)品設計。

其它創(chuàng)新特性包括低功耗嵌入式非易失性存儲器和多個電源管理模式，包括5.4μA低功耗運行模式、3.3μA低功耗待機模式、1μA主動停止模式（實時時鐘運行）和350nA停止模式。STM8L可以在4μs內(nèi)從停止模式喚醒，支持頻繁使用最低功耗模式。低功耗外設，包括小于1μA的實時時鐘和自動喚醒（AWU）模塊，有助于進一步節(jié)省電能。總之，這個平臺可將動態(tài)電流消耗降到150μA/MHz。

這個低功耗平臺的另一個特性：確保集成的模擬電路在低至1.8V工作電壓仍可操作，在整個Vdd電壓范圍內(nèi)最大化微控制器的功能。

開發(fā)工程師還將獲益于STM8L全系列器件在引腳和軟件上的兼容性，以及與意法半導體的STM32系列32位微控制器共用外設接口所帶來的設計靈活性與擴展性。

STM8L101系列是STM8L超低功耗8位微控制器的入門級產(chǎn)品，特色是在一個超小的封裝內(nèi)取得很高的集成度，閃存密度高達8KB，有20引腳、28引腳和32引腳封裝可選。

第二個產(chǎn)品線STM8L15x目前正在向客戶提供測試樣片，增加32KB片上閃存、最大達2KB 的SRAM、外部晶振/時鐘功能、增強型復位以及直接存儲存取（DMA）支持等功能。STM8L15x還增多個外設接口，包括一個電機控制計時器、更多的模擬功能、實時時鐘和快速模數(shù)和數(shù)模轉換功能。片上EEPROM具有真正的讀寫同步（RWW）功能，省去在閃存內(nèi)進行復雜且昂貴的仿真測試。

第三個產(chǎn)品線STM8L152多集成一個液晶顯示器控制單元。STM8L151和STM8L152兩條產(chǎn)品線擬定于2010年初開始量產(chǎn)。

詳細技術信息

超低功耗技術平臺是意法半導體針對8位和32位微控制器開發(fā)的，發(fā)布于2009年6月。該技術平臺基于意法半導體獨有的針對超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程，除現(xiàn)有的節(jié)能型微控制器設計技術外，平臺還集成創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器和模擬電路。獨有的優(yōu)點包括在整個電源電壓（Vdd）范圍內(nèi)支持最高的工作頻率，功耗高低與Vdd電壓無關，為開發(fā)人員提供了更高的設計的靈活性，并有助于簡化設計。

此外，配備多種低功耗模式使STM8L微控制器能夠實現(xiàn)從完全關閉到超低頻率下持續(xù)監(jiān)視的不同運行要求的應用。外設時鐘門控可進一步降低整體運行和等待兩種模式的電流消耗。

超低功耗平臺還實現(xiàn)了一個先進而靈活的支持多個內(nèi)外時鐘源的時鐘系統(tǒng)。這個特性讓開發(fā)人員實時優(yōu)化頻率和時鐘源，盡可能以最低的功耗滿足應用需求。

當需要經(jīng)常或頻繁使用系統(tǒng)喚醒功能時，實時時鐘和自動喚醒（AWU）單元小于1μA、最低功耗模式喚醒少于4μs等特性可確保高能效運行。片上集成的系統(tǒng)安全保護特性也是為超低功耗優(yōu)化的，包括上電復位（POR/PDR）以及一個可選的激活欠壓復位（BOR）。

STM8L151和STM8L152系列的片上DMA特性使外設可以獨立于內(nèi)核工作。通過關閉閃存和CPU，只讓必要的外設處于運行狀態(tài)，可以節(jié)省更多的電能。

所有的STM8L產(chǎn)品還受益于意法半導體的先進的8位STM8微控制器架構。16位索引寄存器、16MB線性地址空間，和以16MHz頻率實現(xiàn)16 CISC MIPS處理速度的高每指令周期效率等特性，是STM8架構出色的性能。

所有STM8L產(chǎn)品都可在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)工作。此外，意法半導體還提供最高工作溫度+125°C的耐高溫

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網(wǎng)友評論

老郭 發(fā)表于 2009-9-14 13:52:25

早些時候的新聞稿：

ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術平臺，采用130nm制程的創(chuàng)新平臺將拓寬STM8S和STM32F產(chǎn)品線

2009年6月15日，意法半導體發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術平臺的細節(jié)。新的技術平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿足不斷升級的能效標準的要求，延長電池驅動設備的工作時間。滿足這些日益提高的標準需要全方位考慮微控制器的設計和制程技術，進行全面的最大限度的改進。

新平臺采用130nm制程，意法半導體對這個平臺進行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標準外設和創(chuàng)新的電源管理架構。這些改進技術合在一起可大幅降低動態(tài)和靜態(tài)功耗，讓未來的微控制器比目前市場上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進步。

意法半導體將在2009年推出首批基于這個超低功耗平臺的全新微控制器系列STM8L和STM32L，這兩款產(chǎn)品將開啟8位的STM8S和32位的STM32F兩個超低功耗產(chǎn)品線，閃存動態(tài)功耗降至150μA/MHz，停止模式功耗最低300nA，且可以同時保存SRAM和寄存器的內(nèi)容。STM8L產(chǎn)品的首批樣品已經(jīng)開始交付主要OEM客戶測試。

在這個新的技術平臺內(nèi)，優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小，可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外，創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲器可降低應用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V，使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過采用低工作電壓內(nèi)核和4μs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法，電源管理架構可在全部模式下節(jié)省電能。最后，專用數(shù)字庫和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設計流程將有助于意法半導體擴大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍，為市場快速推出新器件。

其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器，包括報警系統(tǒng)、無線傳感器、觸感模塊和便攜設備，如個人保健設備、手持游戲機、遙控器、GPS設備、個人運動設備和手機配件。

STM8S和STM32F系列產(chǎn)品可解決開發(fā)人員對高效處理器架構的需求，具有低成本、低功耗和高設計靈活性的優(yōu)點。這兩個系列產(chǎn)品均使用先進的處理器內(nèi)核，如STM32F系列的32-位ARM Cortex-M3處理器。為提高設計靈活性和軟件再用性，兩個系列產(chǎn)品共用標準的外設功能。每個系列中的現(xiàn)有產(chǎn)品的引腳相互兼容，這個優(yōu)點讓設計人員根據(jù)每一款設計，更加自由地優(yōu)化引腳數(shù)量和外設。兩個系列產(chǎn)品都充分利用了現(xiàn)有的節(jié)能技術，包括可節(jié)省電能的睡眠模式和待機模式、可降低時鐘周期浪費的快速喚醒時間以及低電壓工作。

老郭 發(fā)表于 2009-9-14 14:23:44