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1 設(shè)計任務(wù) 設(shè)計并制作一個數(shù)字電容表，系統(tǒng)實現(xiàn)的功能及要求如下： (1)設(shè)計的電容表可測量容量小于2μF的電容。 (2)設(shè)計的電容表采用3位半數(shù)字顯示，最大顯示值為1 999。 (3)設(shè)計的電容表讀數(shù)單位統(tǒng)一采用nF，量程分4檔，實際電容值為讀數(shù)乘以相應(yīng)的倍率。 2 方案論證 2．1 電路方案 (1)方案一：基本電路搭建 用基本電路來實現(xiàn)數(shù)字顯示的電容表，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，故障系數(shù)大，不易調(diào)試，誤差也較大。 (2)方案二：單片機編程 用單片機設(shè)計電路，由于使用軟硬件結(jié)合的方式，所以電路結(jié)構(gòu)簡單、調(diào)試也相對方便。與第一種方案比較優(yōu)點是非常明顯的。 2．2 顯示方案 (1)方案一：靜態(tài)顯示 靜態(tài)顯示，顯示驅(qū)動電路具有輸出鎖存功能，單片機將所要顯示的數(shù)據(jù)送出后就不用再管，直到下一次顯示數(shù)據(jù)需要更新時再傳送一次數(shù)據(jù)。 此方案編程容易，管理簡單，顯示亮度高，顯示數(shù)據(jù)穩(wěn)定，占用很少的CPU時間。但是引線較多，線路復(fù)雜，硬件成本較高。 (2)方案二：動態(tài)顯示 動態(tài)顯示需要CPU時刻對顯示器件進行數(shù)據(jù)刷新，顯示數(shù)據(jù)會有閃爍感，占用的CPU時間多，但使用的硬件少，能節(jié)省線路板空間。 這兩種顯示方式各有利弊，靜態(tài)顯示雖然數(shù)據(jù)穩(wěn)定，占用很少的CPU時間，但每個顯示單元都需要單獨的顯示驅(qū)動電路，使用的硬件較多；動態(tài)顯示雖然有閃爍感，占用的CPU時間多，但使用的硬件少，能節(jié)省線路板空間。 2．3 系統(tǒng)框圖 根據(jù)上述分析，該系統(tǒng)以AT89C2051單片機為核心，系統(tǒng)框圖如圖1所示。 3 AT89C205l簡介 AT89C2051是Atmel公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS 8位單片機，片內(nèi)含2 KB可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲器(EPROM)和128 B的隨機數(shù)據(jù)存儲器。器件采用AtmeI公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標準MCS51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和FLASH存儲單元。AT89C2051作為AT89C51的簡化版雖然去掉了P0，P2等端口，使I／O口減少了，但是卻增加了一個電壓比較器，因此其功能在某些方面反而有所增強。引腳圖如圖2所示。 4 電路工作原理 該數(shù)字電容表以電容器的充電規(guī)律作為測量依據(jù)，測試原理見圖3。電源電壓E+經(jīng)電阻R給被測電容CX充電，CX兩端原電壓隨充電時間的增加而上升。當充電時間t等于RC時間常數(shù)τ時，CX兩端電壓約為電源電壓的63．2％，即0．632E+。數(shù)字電容表就是以該電壓作為測試基準電壓，測量電容器充電達到該電壓的時間，便能知道電容器的容量。例如，設(shè)電阻R的阻值為1 kΩ，CX兩端電壓上升到0．632E+所需的時間為1 ms，那么由公式τ=RC可知CX的容量為1微法。具體測量電路如圖4所示。 圖4中，A為AT89C2051內(nèi)部構(gòu)造的電壓比較器，AT89C2051的P1．0和P1．1口除了作為I／O口外，還有一個功能是作為電壓比較器的輸入端，P1．0為同相輸入端，P1．1為反相輸入端，電壓比較器的比較結(jié)果存入P3．6口對應(yīng)的寄存器。電壓比較器的基準電壓設(shè)定為0．632E+，在CX兩端電壓從0升到0．632E+的過程中，P3．6口輸出為0，當電池電壓CX兩端電壓一旦超過0．632E+時，P3．6口輸出變?yōu)?。以P3．6口的輸出電平為依據(jù)，用AT89C2051內(nèi)部的定時器T0對充電時間進行計數(shù)，再將計數(shù)結(jié)果顯示出來即得出測量結(jié)果。 整機電路見圖5。電路由單片機電路、電容充電測量電路和數(shù)碼顯示電路等部分組成。 AT89C2051內(nèi)部的電壓比較器和電阻R2～R7等組成測量電路。其中R2～R5為量程電阻，由波段開關(guān)S1選擇使用，電壓比較器的基準電壓由5 V電源電壓經(jīng)R6，RP1，R7分壓后得到，調(diào)節(jié)RP1可調(diào)整基準電壓。當P1．2口在程序的控制下輸出高電平時，電容Cx即開始充電。量程電阻R2～R5每檔以10倍遞減，故每檔顯示讀數(shù)以10倍遞增。由于單片機內(nèi)部P1．2口的上拉電阻經(jīng)實測約為200 kΩ，其輸出電平不能作為充電電壓用，故用R5兼作其上拉電阻，由于其他三個充電電阻和R5是串聯(lián)關(guān)系，因此R2，R3，R4應(yīng)由標準值減去1 kΩ，分別為999 kΩ，99 kΩ，9 kΩ。由于999 kΩ和1 MΩ相對誤差較小，所以R2還是取1 MΩ。 數(shù)碼管DS1～DS4、電阻R8～R14等組成數(shù)碼顯示電路。本機采用動態(tài)掃描顯示的方式，用軟件對字形碼譯碼。P3．0～P3．5，P3．7口作數(shù)碼顯示七段筆劃字形碼的輸出，P1．3～P1．6口作四個數(shù)碼管的動態(tài)掃描位驅(qū)動碼輸出。在此采用了共陰數(shù)碼管，由于AT89C2051的P1．3～P1．6口有25 mA的下拉電流能力，所以不用三極管就能驅(qū)動數(shù)碼管。R8～R14為P3．0～P3．5，P3．7口的上拉電阻，用以驅(qū)動數(shù)碼管的各字段，當P3的某一端口輸出低電平時其對應(yīng)的字段筆劃不點亮，而當其輸出高電平時，則對應(yīng)的上拉電阻即能點亮相應(yīng)的字段筆劃。 5 軟件設(shè)計 程序用C語言編寫。軟件部分由主程序、定時中斷服務(wù)子程序等模塊組成。定時器T0作被測電容器充電時間的計數(shù)用。定時器T1用于定時中斷服務(wù)，定時時間為5 ins，即5 ms產(chǎn)生一次中斷。數(shù)組BitTab用來存儲位驅(qū)動碼，DispTab[11]用來存儲字形碼，數(shù)組DispBtlf的4個元素分別用來存儲從定時器T0讀出的數(shù)據(jù)的個、十百千位的4位數(shù)字。程序顯示每一位數(shù)碼的時間為5 ms，因此顯示完整的4位數(shù)的周期為20 ms(4次中斷)。每過240 ms(48次中斷)刷新一下數(shù)據(jù)，即每過240 ms測一次電容量，測量時間小于2 ms，由于這一時間小于中斷的時間5 ms，因此在測量過程中不會出現(xiàn)中斷現(xiàn)象。測量電容時P1．2口輸出高電平，電容開始充電，與此同時定時器T0開始計數(shù)，當電容器充電達到基準電壓時，P3．6口輸出高電平，據(jù)此程序做出判斷停止T0的計數(shù)，并讀出數(shù)據(jù)送數(shù)碼管顯示。如果被測電容器的容量超出測試檔的量程，則計數(shù)值大于或等于2 000，顯示結(jié)果為千位數(shù)顯示1，其他三位數(shù)不顯示。經(jīng)仿真和電路測試，發(fā)現(xiàn)單片機判斷P3．6口是否輸出高電平要花3個機器周期，這會使顯示值增加3，因此在程序中對此誤差進行了修正，對計數(shù)值減去了3。字形碼的輸出用了P3口的P3．0～P3．5，P3．7，P3．6為空，P3口輸出的數(shù)據(jù)通過數(shù)組DispTab獲得。數(shù)據(jù)位和字形的對應(yīng)關(guān)系如表1所示。 6 安裝與調(diào)試 該設(shè)計用AT89C2051單片機集成電路，X1用12 MHz的石英晶體，S1選用1×4的波段開關(guān)，DS1～DS4選用共陰LED數(shù)碼管。安裝前先將C語言源程序用KEIL 51編譯成目標文件即HEX文件，再用編程器將HEX文件寫入AT89C2051芯片。調(diào)試工作主要是通過對RP1的調(diào)節(jié)來調(diào)整基準電壓，最好是通過對一個精度比較高的的電容器的測量來進行調(diào)節(jié)，而不是直接測量基準電壓。具體方法是，選一個經(jīng)確認容量比較準確的電容器，如15 nF的電容器，將S1置于20 nF檔上，調(diào)節(jié)RP1是測量顯示值為1 500。選擇的電容器容量至少要大于相應(yīng)量程的50％，最好是接近滿量程，才能調(diào)得比較準確。該檔調(diào)試好后其他各檔也就調(diào)試好了。如果發(fā)現(xiàn)某檔精度有問題，可改變其相應(yīng)充電電阻的阻值來進行調(diào)整。在使用過程中，當S1置于2 nF檔時，在沒有接人測試電容器時，有10 pF左右的顯示值是正常的，因為這是電壓比較器的輸入電容和電路的分布電容。 只要在測量讀數(shù)時間去掉這一數(shù)值即可。因此在調(diào)試時不要選擇該檔，以免因分布電容影響調(diào)試得準確性。 C文件源程序如下： |
