|
實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進(jìn)行高精度的測(cè)量，同時(shí)還必須進(jìn)行實(shí)時(shí)快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機(jī)解決了上述問題。它集成了一個(gè)增強(qiáng)型8051內(nèi)核、高達(dá)33 MHz的時(shí)鐘周期、8路24位高精度∑-△A/D轉(zhuǎn)換器、Flash存儲(chǔ)器等，其系統(tǒng)功能和結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。 MSC1210具有以下主要特性： ◇ 3個(gè)16位的定時(shí)器，16位PWM波輸出； ◇ 多達(dá)21個(gè)中斷源； ◇ 32個(gè)數(shù)字輸入/輸出端口，帶有看門狗； ◇ 8路ADC提供24位分辨率可編程的無(wú)丟失碼解決方案; ◇ 可編程增益放大（PGA）在1～128之間可調(diào)，極大提高了ADC精度； ◇ 供電電源2.7"5.25 V，在3 V時(shí)功耗低于4 mW，停止方式電流小于1μA； ◇ 內(nèi)核兼容8051，指令與8051完全兼容，可以使用原有8051開發(fā)系統(tǒng)； ◇ 時(shí)鐘頻率可達(dá)33 MHz，單周期指令執(zhí)行速度達(dá)8 MIPS，執(zhí)行速度比標(biāo)準(zhǔn)8051快3倍； ◇ 高達(dá)32 KB的Flash存儲(chǔ)器，SRAM達(dá)1.2 KB，外部可擴(kuò)展至64 KB存儲(chǔ)器； ◇ Flash在電壓低達(dá)2.7 V時(shí)仍可串行或并行編程，可10萬(wàn)次擦除/寫操作； ◇ 具有32位累加器； ◇ 有電源管理功能，能夠進(jìn)行低電壓檢測(cè)，在片上電復(fù)位； ◇ 帶FIFO的SPI端口，雙UART； ◇ 64TQFP封裝，MSC1210系列的硬件和引腳完全兼容，必要時(shí)可以互換。 1 內(nèi)核兼容8051但速度更快功能更強(qiáng) MSC1210系列的所有指令功能與標(biāo)準(zhǔn)8051相同，對(duì)位、標(biāo)志和寄存器的影響相同，但時(shí)序不同。MSC120單片機(jī)使用精簡(jiǎn)的8051內(nèi)核，在同樣的外部時(shí)鐘作用下，其執(zhí)行速度比標(biāo)準(zhǔn)8051快1.5"3倍(每條指令有4個(gè)時(shí)鐘周期與12個(gè)時(shí)鐘周期的區(qū)別)。在同樣的指令和時(shí)鐘下，速度提高到2.5倍以上。因此，一個(gè)時(shí)鐘為33 MHz的MSC1210執(zhí)行速度與一個(gè)時(shí)鐘為82.5 MHz的標(biāo)準(zhǔn)8051相同，其區(qū)別可以從圖2看出；而且MSC1210的定時(shí)器和計(jì)數(shù)器可以選擇每12個(gè)或4個(gè)時(shí)鐘周期計(jì)數(shù)一次。 MSC1210提供了雙數(shù)據(jù)指針(DPTR)加速數(shù)據(jù)塊的移動(dòng)速度，它能根據(jù)外部存儲(chǔ)器的速度調(diào)節(jié)讀寫速度，在2～9個(gè)指令周期之間變化；它還提供給外部存儲(chǔ)器16位地址總線(P0和P2)。低位地址通過P0口復(fù)用得到，硬件可以控制P0和P2口是作為地址線還是作為通用的I/O。 為了更好地提高效率，外圍設(shè)備也在8051基礎(chǔ)上作了改進(jìn)。如SPI端口就增加了FIFO，使得傳輸數(shù)據(jù)有了緩沖區(qū)間。32位累加器的使用在處理ADC采樣或其它數(shù)據(jù)源來(lái)的多字節(jié)數(shù)據(jù)時(shí)將大大減輕CPU的負(fù)擔(dān)，使得24位加法和移位可以在幾個(gè)指令周期內(nèi)完成，而無(wú)需通過軟件用數(shù)百個(gè)指令周期來(lái)完成。 MSC1210系列的硬件和引腳完全兼容，對(duì)用戶而言，唯一的區(qū)別在于內(nèi)存配置不同。MSC1210Y2上編寫的程序代碼可以直接在MSC1210Y3、MSC1210Y4、MSC1210Y5上執(zhí)行。用戶可以在軟件功能上增減并配以不同的CPU型號(hào)，MSC1210已成為一個(gè)擁有幾個(gè)不同應(yīng)用平臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。 MSC1210的開發(fā)工具與8051的開發(fā)系統(tǒng)完全兼容，用戶可以使用原有的8051開發(fā)系統(tǒng)，也可以使用DEMO板帶的開發(fā)系統(tǒng)或者第三方支持者提供的開發(fā)工具。 2 24位高分辨率ADC通道 （1）ADC的輸入多路復(fù)用器及輸入緩沖 輸入多路復(fù)用器允許不同輸入信號(hào)通過選擇輸入通道進(jìn)行組合，如AIN0被選為ADC輸入正端，其它任何通道可以選為ADC輸入負(fù)端。用這種方式可以組成8個(gè)完整的ADC輸入通道，也可以在差分輸入通道間切換極性。片上的二極管可以提供溫度測(cè)量，當(dāng)輸入多路復(fù)用器的寄存器置為全“1”時(shí)，二極管被接入ADC通道的輸入端開始測(cè)量溫度。 MSC1210在沒有緩沖區(qū)時(shí)輸入電阻為5M/PGA，緩沖區(qū)由ADC控制寄存器中的BUF位控制。當(dāng)沒有選擇輸入緩沖區(qū)時(shí)，模擬輸入阻抗與時(shí)鐘頻率(ACLK)和增益(PGA)有關(guān)，其關(guān)系式為 其模擬輸入通道的等效結(jié)構(gòu)如圖3所示。 （2）可編程增益放大器PGA ① PGA：可編程增益放大PGA可以設(shè)為1、2、4、8、16、32、64、128，使用PGA確實(shí)能提高ADC的分辨率。當(dāng)PGA=1，量程范圍為5 V時(shí)，ADC能分辨到1μV；當(dāng)PGA=128，量程范圍為40 mV時(shí)，ADC能分辨到75 nV；而在PGA=1時(shí)，在5 V量程范圍內(nèi)需要一個(gè)26位的ADC才能分辨到76 nV。 ② PGA偏移DAC：ODAC寄存器是8位，它能將輸入到PGA的模擬信號(hào)偏移PGA滿量程的一半，其最高位為符號(hào)位，低7位提供偏移量。由于ODAC給PGA引入的是模擬量而不是數(shù)字量偏移，所以并不影響測(cè)量結(jié)果的精度。 （3）電壓參考基準(zhǔn) MSC1210的電壓參考可以是內(nèi)部的也可是外部的，上電復(fù)位以后的電壓參考是內(nèi)部的2.5 V，參考電壓的選擇通過ADCON0控制。片上內(nèi)部參考電壓有1.25 V和2.5 V兩種可選，其精度可達(dá)0.2 %，溫漂僅為5%26;#215;10-6/℃，可大大提高測(cè)量精度。如果沒有用到內(nèi)部參考電壓，就應(yīng)該將其關(guān)掉以減少噪聲和功耗。VREFOUT引腳處應(yīng)該放一個(gè)0.1μF去耦電容。外部參考電壓為REF IN+與REF IN-之間的差值，引腳上的絕對(duì)電壓在AGND與AVDD之間，但其差分電平不能超過2.6 V。 3 片內(nèi)存儲(chǔ)器 MSC1210包括片上1.2 KB SRAM ，256字節(jié)DARAM，2KB啟動(dòng)ROM，32 KB Flash存儲(chǔ)器。 MSC1210用內(nèi)存尋址表來(lái)區(qū)分程序存儲(chǔ)空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間。程序空間由單片機(jī)自動(dòng)讀取，通過指令MOVC來(lái)讀程序空間；數(shù)據(jù)空間通過指令MOVX來(lái)讀寫。當(dāng)片上存儲(chǔ)使能時(shí)，在片內(nèi)范圍內(nèi)的讀寫將在片內(nèi)存儲(chǔ)器上進(jìn)行，片外存儲(chǔ)器通過P0和P2尋址來(lái)實(shí)現(xiàn)。HCR1寄存器的第0位和第1位設(shè)為0就可以訪問外部存儲(chǔ)器，此時(shí)可以通過P0和P2口訪問所有片內(nèi)和片外存儲(chǔ)空間。為了安全起見，在訪問片內(nèi)存儲(chǔ)器期間，P0口全部置位為0。 MSC1210包含1.2 KB片上SRAM。SRAM起始地址位“0”，通過MOVX指令讀寫。SRAM也可以從8400H開始，既可作程序空間又可作數(shù)據(jù)空間。 MSC1210有256字節(jié)DARAM，地址為0000H"00FFH，其中128字節(jié)為128個(gè)SFR，地址為0080H"00FFH。SFR寄存器用做控制和狀態(tài)，標(biāo)準(zhǔn)的8051功能和MSC1210的附加功能是通過SFR實(shí)現(xiàn)的。從沒有定義的SFR寄存器將得到“0”，寫入沒有定義過的SFR得到的結(jié)果無(wú)法確定。DARAM的另一個(gè)用途，是通過SFR的堆棧指針作為堆棧使用。 在串行或并行編程時(shí)，有2KB啟動(dòng)ROM控制運(yùn)行。在用戶模式下，BOOT ROM位于F800H"FFFFH；在編程模式下，BOOT ROM位于程序空間的起始2K。 Flash存儲(chǔ)器既可用做程序存儲(chǔ)空間又可用做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，用戶可以靈活配置程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間的大小。分區(qū)大小通過硬件配置位來(lái)確定，可以通過串行或并行的方式來(lái)編程確定。在用戶應(yīng)用模式下，程序和數(shù)據(jù)Flash存儲(chǔ)空間都可讀可寫。 4 Flash編程應(yīng)用 可編程的Flash存儲(chǔ)器分為4個(gè)部分：128字節(jié)的配置部分、復(fù)位向量、程序存儲(chǔ)空間、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間。 Flash編程模式有串行和并行兩種模式，通過上電復(fù)位過程當(dāng)中的ALE和信號(hào)狀態(tài)確定。當(dāng)ALE=1，=0時(shí)，選擇串行編程模式；當(dāng)ALE=0，=1時(shí)，選擇并行編程模式。當(dāng)ALE和都為高電平時(shí)，MSC1210運(yùn)行在用戶模式下；當(dāng)ALE和都為低電平時(shí)，MSC1210沒有定義。 MSC1210的Flash存儲(chǔ)器初始值全部為“1”，并行編程模式包括一個(gè)專用的編程器，串行編程方式通常為在線編程，用戶應(yīng)用模式允許對(duì)Flash程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器編程。對(duì)Flash編程的實(shí)際代碼不能從Flash執(zhí)行，而必須從BOOT ROM或RAM處開始執(zhí)行。 MSC1210有兩個(gè)硬件配置存儲(chǔ)器(HCR0、HCR1)，在Flash編程模式下可編程。用戶通過對(duì)這兩個(gè)存儲(chǔ)器編程可以在程序存儲(chǔ)空間(PM)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間(DM)之間定義分區(qū)，如表1所列。 表1 MSC1210的Flash分區(qū) HCR0 MSC1210Y2 MSC1210Y3 MSC1210Y4 MSC1210Y5 DFSEL PM/KB DM/KB PM/KB DM/KB PM/KB DM/KB PM/KB DM/KB 000 0 4 0 8 - - - - 001 0 4 0 8 - - 0 32 010 0 4 0 8 0 16 16 16 011 0 4 0 8 8 8 24 8 100 0 4 4 4 12 4 28 4 101 2 2 6 2 14 2 30 2 110 3 1 7 1 15 1 31 1 111(缺省) 4 0 8 0 16 0 32 0 注：當(dāng)程序空間選擇0KB時(shí)，程序在片外執(zhí)行；"一"表示保留。 用戶可以通過MOVX指令來(lái)讀寫Flash存儲(chǔ)器，而不論Flash存儲(chǔ)器是被定義為程序存儲(chǔ)器還是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這意味著用戶可以將全部空間分為程序存儲(chǔ)空間，并將程序空間當(dāng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間用。當(dāng)PC指針指向的程序空間實(shí)際上存放的是數(shù)據(jù)時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致不可預(yù)知的后果。因此，當(dāng)要用Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，一定要求使用Flash分區(qū)，F(xiàn)lash分區(qū)禁止在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間執(zhí)行程序。同樣，也禁止程序空間的擦寫而允許在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間讀寫。 5 結(jié) 論 MSC1210作為一款高性能的內(nèi)核兼容8051的單片機(jī)，其開發(fā)的方便、靈活和高精度ADC的使用滿足了使用者的要求，其指令執(zhí)行速度更是實(shí)時(shí)系統(tǒng)所渴求的，可廣泛用于工業(yè)過程控制、醫(yī)療儀器、智能傳感器等各個(gè)領(lǐng)域。 |
