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雙T型功率振蕩器用作直流偏置交流源

發(fā)布時(shí)間:2009-8-10 10:04    發(fā)布者:賈延安
關(guān)鍵詞: 交流源 , 偏置 , 振蕩器 , 直流
交流測(cè)試設(shè)備通常需要一種低失真的信號(hào)源作待測(cè)設(shè)備的激勵(lì)。常見的辦法是用一臺(tái)信號(hào)發(fā)生器,產(chǎn)生一個(gè)低失真的基準(zhǔn)信號(hào),將其送入一個(gè)功率放大器以驅(qū)動(dòng)待測(cè)設(shè)備。本設(shè)計(jì)實(shí)例提出了一種較輕便的替代方案。

  圖1是一個(gè)振蕩器,它產(chǎn)生一個(gè)有功率驅(qū)動(dòng)能力的低失真正弦信號(hào)。功率振蕩器主要由兩部分構(gòu)成:一個(gè)雙T型網(wǎng)絡(luò),還有一個(gè)大功率低壓降穩(wěn)壓器。雙T網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)并聯(lián)的T型濾波器:一個(gè)低通濾波器和一個(gè)高通濾波器。雙T網(wǎng)絡(luò)經(jīng)常被選用于陷波濾波器。低壓降穩(wěn)壓器作信號(hào)放大,驅(qū)動(dòng)負(fù)載。此電路中的穩(wěn)壓器包括一個(gè)電流基準(zhǔn)的電壓跟隨器結(jié)構(gòu)。它從Set至Out管腳有單位增益,電流基準(zhǔn)是一個(gè)精密的10μA電流源。Set腳的RSET電阻設(shè)定輸出的直流電平。在Out和Set腳之間連接一個(gè)雙T型網(wǎng)絡(luò)后,得到的陷波濾波器可同時(shí)衰減高頻和低頻分量,使中心頻率順利通過。電阻與電容確定了中心頻率 f0:f0=1/(2pRC)。

  對(duì)雙T網(wǎng)絡(luò)的小信號(hào)分析表明,中心頻率處的增益為最大值。當(dāng)K因數(shù)從2增加到5時(shí),雙T振蕩器的最大增益從1增長(zhǎng)到1.1(圖2)。當(dāng)K因數(shù)大于5時(shí),最大增益下降。因此,增益大于單位增益時(shí),K因數(shù)要選擇為3~5之間。環(huán)路增益必須是單位增益,以保持振蕩的穩(wěn)定。所以,需要一個(gè)電位計(jì)來調(diào)節(jié)環(huán)路增益,控制振蕩幅度。




圖1,此振蕩器生成一個(gè)有功率驅(qū)動(dòng)能力的低失真正弦信號(hào)。圖2,雙T網(wǎng)絡(luò)的增益隨圖1中的K值而改變。

  雙T振蕩器可以驅(qū)動(dòng)感性、容性或阻性負(fù)載。低壓降穩(wěn)壓器的電流限制(凌力爾特技術(shù)公司的LT3080是1.1A)是振蕩器驅(qū)動(dòng)能力的唯一限制因素。負(fù)載特性限制了最大可編程頻率。例如,一個(gè)有4.7μF輸出電容的10Ω阻性負(fù)載在高于8kHz頻率時(shí)會(huì)造成7%的THD(總諧波失真),雖然圖3電路中在400 Hz時(shí)THD是0.1%。雙T振蕩器的線路調(diào)節(jié)與負(fù)載調(diào)節(jié)特性與LT3080相同。它亦可工作在寬的溫度范圍內(nèi)。

  為了實(shí)現(xiàn)增益的自動(dòng)調(diào)節(jié),可以用一只燈泡替代電位計(jì)(圖3),或采用一支電壓調(diào)制的阻性MOSFET(圖4)。由于自發(fā)熱效應(yīng),燈泡的電阻隨振蕩幅度而升高,因此用于控制環(huán)路增益,維持振蕩。圖4中通過一個(gè)齊納二極管檢測(cè)峰值電壓,當(dāng)振幅增大時(shí),MOSFET的電阻下降。環(huán)路增益亦減少,以維持振蕩。




圖3,用一個(gè)燈泡代替電位計(jì)可以實(shí)現(xiàn)增益自動(dòng)控制
圖4,用一個(gè)電阻可變的MOSFET代替電位計(jì),可以實(shí)現(xiàn)增益的自動(dòng)控制。

  圖5給出了使用燈泡時(shí)雙T振蕩器的測(cè)試波形。5V直流偏壓時(shí)輸出調(diào)在4V 峰峰值電壓(圖6)。雙T振蕩器頻率為400 Hz,0.1% THD。最大的諧波貢獻(xiàn)來自于小于4 mV峰峰值的二次諧波。圖6是使用MOSFET的雙T振蕩器測(cè)試波形。THD為1%,有40 mV 峰峰值的二次諧波。



圖5,圖3振蕩器的測(cè)試波形顯示0.1% THD的低失真。圖6,圖4振蕩器的測(cè)試波形顯示1% THD的低失真。

圖7,圖3電路的波形顯示,燈泡振蕩器的起振緩慢。圖8,T圖4電路的波形顯示,MOSFET振蕩器的起振快速。

  振蕩器的起振是另一個(gè)重要問題。兩種電路都沒有低頻擺動(dòng),這在其它種類振蕩器中很常見。圖7和圖8的波形幾乎沒有過沖。使用MOSFET的振蕩器要比使用燈泡的振蕩器穩(wěn)定更快,因?yàn)闊襞萦屑訜嵝?yīng),熱常數(shù)更大。對(duì)于需要低失真和功率驅(qū)動(dòng)能力的應(yīng)用,可以將簡(jiǎn)單電路作為直流偏置的交流源。
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