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東芝發(fā)布24納米新技術(shù) 單芯片可存8GB數(shù)據(jù)

發(fā)布時(shí)間：2010-9-1 08:04    發(fā)布者：李寬
關(guān)鍵詞： 24納米 , NAND
東芝宣布將其全新的24納米NAND閃存技術(shù)投產(chǎn)，這意味著東芝已經(jīng)可以產(chǎn)出2bit/cell的64Gb組件，也就是單芯片上可以存儲8GB的數(shù)據(jù)。

這款NAND閃存還將配合東芝之前研發(fā)的閃存DDR技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能、高容量存儲，進(jìn)一步提高手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等設(shè)備的存儲性能，并且東芝本次量產(chǎn)的產(chǎn)品可能會裝備iPod和iPhone。
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