|
據稱是業界首款采用MICRO FOOT芯片級封裝的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB具有背面絕緣的特點。Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化。該器件2-mil背面涂層可實現對MICRO FOOT封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產生的電路短路。 此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至PCB上的區域及更少的高度限制，電路布局可更好地優化。 20V n通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為±8 V。 目前，新型Si8422DB可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為10至12周。 |
