電子元器件選用：半導體分立器件選用15項原則

dgdz2013

半導體分立器件選用15項原則

1.半導體分立器件選擇時應注意其失效模式的影響，其失效模式主要有開路、短路、參數漂移和退化。

2.半導體分立器件選用時應考慮負載的影響，對電感性負載應采取吸收反電動勢措施;對電容性負載，低冷電阻負載應考慮限制通過器件的峰值電流。

3.高溫是對晶體管破壞性最強的因素，故必須對晶體管的功耗和結溫進行降額使用;電壓擊穿是導致晶體管失效的另一主要因素，故其工作電壓也需降額;功率晶體管有二次擊穿現象，因此其安全工作區(qū)也需進行降額。  

4.功率晶體管在遭受由于多次開關過程所致的溫度變化沖擊后會產生“熱疲勞”失效。使用時應根據功率晶體管的相關詳細規(guī)范要求限制殼溫的最大變化值。  

5.功率晶體管應降低飽和電壓降。

6.晶體管其預計的瞬間電壓峰值和工作電壓峰值之和不得超過降額電壓的限定值。  

7.對推挽級晶體管，應考慮采取抑制兩管同時導通的措施。一般可采取使晶體管基極-發(fā)射極反偏的設計。  

8.在滿足電路性能要求的條件下，盡量選用硅管而不用鍺管。因為硅管結溫（150～175℃）比鍺管結溫（75～90℃）高;硅管的BVCBO較鍺管BVCBO高。所以在高溫高壓工作時應選用硅管而不選用鍺管。  

9.在微弱信號放大電路中，應選用低噪聲放大管，應注意晶體管手冊所給出的噪聲系數是按其額定頻率測定的，不能盲目套用。  

10.穿透電流小的晶體管往往噪聲小，應優(yōu)先選用。

11.當用晶體管驅動電磁繼電器時，為防止在過渡過程中繼電器線圈產生的自感電動勢擊穿晶體管，應在繼電器的繞組上并聯(lián)吸收元器件。吸收元器件除使用二極管、電容器、電阻器外，還可使用壓敏電阻器。

12.晶體管用在強干擾條件下，為防止它因強烈輸入干擾而損壞，應在其輸入端加裝限幅器。  

13.盡量不用點接觸型二極管。

14.選用國產整流二極管時應注明其后綴，其后綴英文字母表示反向工作電壓。  

15.晶閘管選擇時其結溫不應超過規(guī)定要求，否則漏電流增大，會使結溫升高，進而使器件失效。

節(jié)選自《電子產品設計寶典可靠性原則2000條》