意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。
400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高于現有競爭產品。全系列產品專為汽車應用設計，內部集成快速恢復體二極管（fast body diode）、恢復軟度系數更高的換向行為（commutation behavior）和背對背柵源齊納（gate-source zener）二極管保護功能，是全橋零壓開關拓撲的理想選擇。 意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr（反向恢復時間） / Qrr（反向恢復電荷）比和恢復軟度系數表現最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關斷能量（Eoff），有助于提高汽車電源能效。此外，內部快速體二極管的性能表現亦十分出色，有助于降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波器件。MDmeshTM DM2技術通過這種方式讓電源設計變得更環保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。 意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性： • 快速恢復體二極管 • 極低的柵電荷量及輸入電容，500V D2PAK產品的柵電荷量及輸入電容分別為44nC和 1850pF • 低導通電阻 • 最短的Trr（反向恢復時間）：600V TO-247在28A時是120ns；650V TO-247在48A時是135ns • 柵源齊納二極管保護 欲了解更多產品詳情，請瀏覽：www.st.com/mdmeshdm2 |
