12-40瓦 | 隔離 | BP3309 | 90~264VAC | 0.9 | 15-30*1W | 88% | 原邊反饋APFC;啟動時間小于200mS;過認證 |
> 12瓦 | 隔離 | BP3319M | 90~264VAC | 0.9 | 10-18*1W | 89% | 原邊反饋APFC;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;過認證 |
隔離 | BP3319M | 90~264VAC | 0.9 | 19-36*1W | 90% | 原邊反饋APFC;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;過認證 |
隔離 | BP3319M | 90~264VAC | 0.9 | 38-60*1W | 91% | 原邊反饋APFC;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;過認證 |
< 100mA | 非隔離 | BP5129 | 200~240VAC | 0.4 | 250V/65mA | 90% | 無需EMI器件;光電一體引擎方便生產;
相比CRD而言,有更好的效率和更小的輸入功率波動 |
< 220mA | 非隔離 | BP2832A | 176~264VAC | 0.5 | 130V/120mA | 92% | 內置功率 MOSFET;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;單繞組 電感;
自帶OVP保護;僅10個外圍元件 |
< 350mA | 非隔離 | BP2833A/BP2833D | 176~264VAC | 0.9 | 80V/240mA | 92% | 內置高壓功率MOSFET;單繞組電感;內置OVP保護。 |
< 500mA | 非隔離 | BP2836D | 176~264VAC | 0.9 | 130V/300mA | 92% | 內置高壓功率MOSFET;單繞組電感;內置OVP保護。 |
< 350mA | 非隔離 | BP2327A | 176~264VAC | 0.9 | 80V/240mA | 93% | APFC技術;內置高壓功率MOSFET;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;
超小體積(日光燈單堵頭);單繞組電感;自帶OVP保護;恒流精度極高; |
< 350mA | 非隔離 | BP2328A/BP2328D | 90~264VAC | 0.9 | 80V/240mA | 93% | APFC技術;內置高壓功率MOSFET;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;
超小體積(日光燈單堵頭);單繞組電感;自帶OVP保護;恒流精度極高; |
< 2A | 非隔離 | BP2329A | 90~264VAC | 0.9 | 80V/240mA | 93% | APFC技術;溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;
單繞組電感;自帶OVP保護;恒流精度極高; |
| 隔離 | BP3108 | 176~264VAC | 0.5 | 7*1W | 80% | |
隔離 | BP3318 | 90~264VAC | 0.9 | 10-18*1W | 89% | 原邊反饋APFC;PWM、Analog 調光;
溫度控制技術確保高溫工作不閃爍;過認證; |
非隔離 | BP3211 | 90~132VAC | 0.9 | 40V/150mA | 83% | 內置功率MOSFET;自帶OVP保護;外圍元器件少;單繞組電感;BOM成本低;
兼容絕大部分低壓調光器;PWM、Analog、可控硅調光;過認證 |
非隔離 | BP3212 | 90~132VAC | 0.9 | 42V/240mA | 88% | 內置功率MOSFET;自帶OVP保護;外圍元器件少;單繞組電感;BOM成本低;
兼容絕大部分低壓調光器;PWM、Analog、可控硅調光;過認證 |
非隔離 | BP3218 | 90~132VAC | 0.9 | 37V/400mA | 88% | 自帶OVP保護;外圍元器件少;單繞組電感;BOM成本低;
兼容絕大部分低壓調光器;PWM、Analog、可控硅調光;過認證 |
非隔離 | BP2318 | 90~264VAC | 0.9 | 80V/240mA | 93% | APFC技術;PWM、Analog 調光;溫度控制技術確保電源壽命; |
非隔離 | BP2818 | 90~264VAC | 0.5 | 40V/120mA | 88% | PWM、Analog、可控硅調光;通過EMI測試 |