意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）與Carnot STAR（研究應用科技）協會成員，法國普羅旺斯材料、微電子和納米電子研究院（包括IM2NP–CNRS / 艾克斯-馬賽大學 / 土倫大學 / ISEN高等電子與數字技術學院）宣布正式啟用其新設立的聯合實驗室。雙方有著多年的密切合作經驗，希望可以憑借多項聯合研發項目，開發下一代高可靠性超微（Ultra-miniaturized）電子元器件。
輻射效應與電氣可靠性（REER, Radiation Effects and Electrical Reliability）聯合實驗室是一個跨地區的研究機構，匯集馬賽、土倫兩個城市的IM2NP研究人員及位于格勒諾布爾（Grenoble）附近的意法半導體Crolles實驗室的技術專家。 REER聯合實驗室的科學項目將主攻兩個研究領域：輻射對納米級數字電路的影響，以及納米級互補金屬氧化半導體（CMOS, Complementary Metal-oxide Semiconductor）技術的電氣可靠性。這兩個研究方向對于意法半導體及其能否研發可靠性極高的集成電路至關重要。汽車、網絡、醫療、航天和安保等應用對集成電路的可靠性有非常高的要求。 在這些應用領域中，電子元器件本身具有一些先天限制（包括電場、機械應力、溫度等）和特定環境限制（特別是自然或人造輻射源的粒子輻射），是當今集成電路及下一代集成電路面臨的日益嚴峻的挑戰。 為預測并減弱輻射效應，半導體工業需要對這些現象進行表征、建模和仿真，而如何有效降低輻射效應是新聯合實驗室的主要研究目標之一。 此外，開發下一代納米電子技術必須解決諸多挑戰和障礙，設計人員必須更清楚地了解在集成電路制造工藝中，每一道工序可能會面臨的問題。聯合實驗室的研究范圍從原子級最重要的現象，到系統、材料、芯片物理性質以及抗輻射電路設計。 這些研發項目將具有全球性的競爭力，主攻最先進的微電子技術，例如28納米及以下的技術節點，特別是意法半導體在Crolles開發的FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）制造工藝，這讓意法半導體成為全球第一個開發出最具創新性的世界領先的納米級集成電路。 在開業不久后，聯合實驗室便受邀參加法國企業局（DGE, Directorate for Enterprises）、法國國際采購局（DGA, French defense procurement agency）主導的ENIAC行動與支持計劃的歐洲CATRENE集群計劃（European CATRENE cluster），參與多項法國國家級、歐洲和國際合作計劃項目。今后五年，聯合實驗室預計將安排高水平博士研究人員，主要參與在法國政府工業研究培訓協議（CIFRE, industrial agreement for training through research）計劃資助的國家與民間企業合作研究活動。 |
