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美國存儲器技術開發商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取存儲器（non- volatile random access memory，NRAM；或稱Nano-RAM），已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級存儲器。 Nantero已經向新、舊投資人 募得3，150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發；該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳納米管為基礎，也就是碳原子組成的圓柱體。那些直徑僅1~2納米的納米管比鋼更強韌，而且導電特性比其他已知的晶片制造材料更好。 其實Nantero早在2001年就已經成立，但是目前仍然像是一家新創公司，它曾經名列EE Times的2013年版“前十大值得關注新創公司”排行榜；Schmergel透露，與系統與元件制造商的合作進展，將讓Nantero漸漸脫離潛水模 式。他指出，NRAM已經準備好商業化以及量產，Nantero已經開始提供4Mb的高良率NRAM晶片樣品，而目前已經有7座量產CMOS晶圓廠安裝了 NRAM制程。 Schmergel強調，NRAM技術能提供許多優勢，包括讀寫次數與DRAM相同，而速度則比手機與固態硬盤（SSD） 使用的NAND快閃存儲器高一百倍：“其耐久性基本上是無限制的，因為碳納米管永遠不會耗損。”測試結果顯示，NRAM在極端溫度下仍能維持穩定運作，該 種存儲器甚至接受了航太業者洛柯希德˙馬丁（Lockheed Martin）與美國太空總署（NASA）在太空梭亞特蘭提斯號（Atlantis）上的輻射線轟炸測試。 回到地球上；Schmergel表示，NRAM的商業化優勢還包括比DRAM或快閃存儲器功耗更低，此外碳納米管的小尺寸，意味著能以更小體積元件儲存更多資料，使其適合筆記型電腦、手機、甚至可穿戴式裝置與物聯網設備等終端系統：“還有很多我們無法預期的應用。” 而 Schmergel指出，NRAM在成本上也有顯著優勢，因為碳納米管體積小，元件尺寸能輕易微縮，意味著NRAM不會面臨與其他種類存儲器相同的制造挑 戰；現有的CMOS晶圓廠也不需要額外的設備就能生產NRAM，因為該技術多年來的開發成果，已經使其能完全相容于現有半導體設備：“你能使用任何一種你 想用的微影技術，這非常具成本效益。” 
Nantero獨家開發的NRAM存儲器是以碳納米管為基礎 不過Schmergel也表示，Nantero不會自己生產NRAM，而是會將技術授權給元件或裝置制造商；他透露低第一款NRAM產品，會是與DRAM存儲器插槽相容的模組，而裝置業者能將該碳納米管儲存方案，布署在NAND快閃存儲器電路的頂層。 對于Nantero，市場研究機構WebFeet Research執行長Alan Niebel表示，該公司埋首于NRAM技術開發超過十年，現在終于是展現成果的時候；而該技術最嚴峻的考驗，是能在多快的時間內整合進晶片。存取次數、 功耗、耐久性、可擴展性以及制程簡易度等條件的表現，則將決定NRAM是否可行或能否被大量采用；但他預期嵌入式NRAM在2016年以前不會出現在市場 上，而還要再過一年時間才能見到獨立式的NRAM元件問世。 Niebel認為，碳納米管的耐久性確實頗具吸引力，而若Nantero真能 降低該技術成本、實現其通用性，NRAM將會是非常值得關注的技術。不過他也指出，NRAM的制造成本可能會比DRAM便宜，可能還是會高于NAND快閃 存儲器；此新存儲器技術還需要大量的實作、測試與制程最佳化。 Nantero可能會在某些應用領域看到NRAM能取代DRAM的機會，但 是DRAM恐怕不是那么容易在短時間之內被大量替代的；根據韓國業界消息，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）等廠商，都計劃在DRAM產能上投資更多，以因應來自手機等行動裝置對該存儲器技術的穩定需求。 在存儲器領域，總是會有新興 技術想取代DRAM或NAND快閃存儲器，不過只是某些特定應用領域，例如電阻式存儲器（resistive RAM，RRAM）、磁阻式存儲器（MRAM），以及還需要進一步最佳化的相變化存儲器（phase-change memory，PCM）技術。 |
