|
從武岳峰等資本公司聯合收購 ISSI，到面板廠京東方宣告進入 DRAM 市場，搶進 DRAM市場的意圖愈發明顯，然而，挾著重金，外界擔心中國 DRAM 廠將使現在漸趨平衡的生態再起波瀾，中國進入市場對于臺廠又會造成什么樣的威脅，研究機構 Bernstein Research 從幾個面向分析，認為中國若朝主流 DRAM 發展勝算并不大。 中國存儲器產業布局仍未明朗 中國國家積體電路產業投資基金宣告投入 1，200 億人民幣（約合 6，080 億新臺幣），今年 3 月中國武岳峰資本等公司資本聯合買下 ISSI （Integrated Silicon Solution），宣告中國半導體布局伸向 DRAM 產業，ISSI 主要發展利基型 DRAM 與 SRAM，外界預估對主流存儲器市場的影響并不大。4 月初再傳中國面板廠京東方也意圖進入存儲器市場，中國芯謀研究（ICwise ）首席半導體分析師顧文軍發文指稱，京東方決定涉足存儲器市場的新聞為子虛烏有，但也未把話說死，顧同篇發言也引述京東方董事長王東升先前強調會關注并且 涉足半導體的發言。至少在短期之間，京東方進軍 DRAM 產業仍未明朗。據悉，中國半導體扶植政策下，將選擇一個省市設置本土的 DRAM 廠，上海、北京、合肥等五個省市爭取之中，誰能勝出、策略為何也還未有定數。比較確定的是，武漢新芯集成電路（XMC） 今年 2 月宣布與美國 NOR 快閃存儲器領導廠商 Spansion 合作研發 3D NAND 技術，第一個產品預計于 2017 年問世。目前 3D NAND 技術除了三星已正式量產，其他大廠仍處送樣階段或預計下半年小規模量產。技術仍屬起步階段，制作成本仍高，武漢新芯與 Spansion 發展 3D NAND 技術，還得視能否兼顧成本以及每個存儲器的電性表現。 鉅額投資不一定取得了市占 存儲器產業為典型資本密集與技術密集產業。先從資本談起，光土地、廠房不含設備，可能就得耗掉 150~200 億臺幣，研究機構 Bernstein 預估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一個市場的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季產能來估算，一個月產出得達 20 萬片（資本支出大約在 200 億美元，約 6，260 億新臺幣左右）。 
追逐市占的過程中，若產能一個月增加到 20 萬片的幅度，市場將出現超額供給，對于初期生產成本較高的新進者而言，價格會掉到成本以下，新進者即便前面 16~24 個月之間投入 200 億美元以上的資本支出，十年內仍會落后產業先進者一個世代以上。Bernstein 預估，新進者投入 DRAM 產業，將得承受前面十年 400 億美元（約 1.3 兆新臺幣）的虧損，投入 NAND 產業前面十年也要有面臨 350 億美元（約 1.1 兆新臺幣）損失的心理準備。 即便付出了大把銀兩，也無法保證在這產業勝券在握，臺灣就是一個血淋淋的例子。1990 年代～2010 年臺灣投入了超過 500 億美元（約 1.6 兆新臺幣）發展存儲器產業，就為了取得一定的市占，在 2004～2006 年產業一片榮景之下，更是大舉擴充產能，然 2007 年產能開始過剩，DRAM 價格暴跌，2008 年金融海嘯后，情況更為嚴峻，臺廠躊躇是否投資之際，2010 年三星資本支出翻倍至 18 兆韓圜（約 5，578 億新臺幣），傾力發展 DRAM 技術，血洗了當時產業，缺乏自有技術、不堪虧損臺廠后來也敗下陣來。2001～2010 年十年之間，DRAM 市場擁有 80 億美元的獲利，倘若排除三星所賺的 170 億美元，整個 DRAM 市場虧了 90 億美元，排除韓廠，整個產業虧損更是將近 130 億美元。在這期間德國大廠奇夢達破產倒閉，臺灣力晶與茂德嚴重虧損面臨重整，南亞科也轉進利基型晶片，市場份額不復以往，臺廠中較具規模的只剩美光入股的 華亞科。爾后，臺廠制程技術始終落后三星等 DRAM 領導廠商一個世代，成本也因此居高不下，最終茂德與力晶也退出 DRAM 市場，前者轉型 IC 設計，后者轉入晶圓代工市場。 龐大技術壁壘待克服 挺得住金錢的損失，背后還有龐大的技術壁壘需克服，存儲器產業復雜性高，在 DRAM 產業即便是成立已久的華亞科與南亞科，發展先進制程仍需美光的技術授權。而美光在 NAND 產業成了后進之輩（進入時間 2004 年），與 SK 海力士（進入時間 2003 年），即便在 NAND 業務的利潤毫不遜色，但在十余年之后，技術仍落后于東芝 SanDisk 與三星等領導者。三星、SanDisk、東芝等先進者紛紛轉進較具成本優勢的 TLC（3bit MLC），調研機構 DRAMeXchange 預估 2015 年 TLC 產出比重將逐漸攀升，第四季甚至接近整體 NAND Flash 產出，然從下圖表一可看出，2014 年第四季產業后進的美光與 SK 海力士還未能發展出 TLC 技術，此外，三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術授權費用給 SanDisk(圖表二） 圖表一
圖表二 存儲器產業技術日趨復雜，且單一技術發展已現瓶頸，如行動裝置需求爆發下，有望取代 eMMC 成為 NAND Flash 的最大應用的 eMCP 技術，就得結合 DRAM。存儲器也日漸講求解決方案，如何結合系統技術或軟體商也變得比以往都來得重要。除了武漢新芯與 Spansion 的合作，武漢新芯與中芯國際也曾找過臺灣 NOR 大廠旺宏尋求合作，但已遭拒，中國在存儲器產業上還未有更多合作伙伴現身。Bernstein 認為，鉅額資金與龐大技術壁壘，中國走向主流存儲器產業，發展高密度存儲器產品并非易事，相反地，在物聯網裝置蓬勃發展下，相關的低密度存儲器應用，可能是中國初進存儲器市場較可能的發展路徑。 來源：technews |
2.jpg (31.17 KB)
