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在芯片間以及芯片與電路板間傳送通信信號，是全球各地研究人員密集研究的重要領域之一。如今，美國西雅圖的華盛頓大學（University of Washington）和加州斯坦福大學（Stanford University ）已經開發出一種可利用電子調變簡化光通信的納米級芯片激光技術。 由于芯片激光所能制作的材料大部份都和硅基板不相同，但研究人員們對于在標準硅芯片上整合其厚度僅0.7nm的原子級激光寄予厚望。 “目前我們在硒夾層之間利用鎢光子腔，但希望未來能以氮化硅達到相同的結果，”電子工程學教授Arka Majumdar表示。Arka Majumdar與研究員Xiaodong Xum及其博士生助理Sanfeng Wu共同進行這項研究。 
一種利用厚度僅3個原子的超薄半導體材料，可將光子腔擴展成發射光線（來源：華盛頓大學） 根據Majumdar與Wu表示，這種厚度僅約3個原子的材料是目前最薄的半導體，不僅具有超高能效，而且能夠只以27nW的信號進行電光調變，使其成為芯片上通信的理想選擇。這種新材料還鼓勵了其他研究團隊，利用這種新的半導體打造LED 、太陽能電池以及電晶體。 利用這種材料制作納米激光，需要打造一個可集中光線的限光腔體，并從鎢基材料層塑造而成。這種材料的優點可加以調整，并用于在標準頻率實現芯片上、芯片之間以及板級間通信。 接下來，該研究團隊將仔細地分析材料特性，以及利用氮化硅材料進行實驗，期望取得進一步的進展。 這項研究由美國空軍辦公室的科學研究、國家科學基金會（NSF）、華盛頓的清潔能源研究所、美國能源署以及歐洲委員會（EC）等單位提供資金贊助。 |
