Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，提供最低的導通電阻和多種可選封裝

發布時間：2015-3-10 10:57 發布者：eechina

關鍵詞： SuperFET , MOSET

全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結合，為設計師提高靈活性

Fairchild今日推出 800V SuperFET II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案（需要 600V/650V 以上的擊穿電壓）的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。

800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選。同時，多種可選封裝為設計師帶來巨大的靈活性，在尺寸受限的設計中尤為如此。該系列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源、電源適配器、服務器、工業電源和輔助電源及微型太陽能逆變器。

“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高產品的效率和可靠性。由于優越的開關性能和低導通電阻，此系列的效率明顯優于最接近的競爭產品，”Fairchild 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結技術，實現小形狀因數及更勝以往的高效率，其耐用的內置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業橋式電路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業內最低 60 毫歐的26個器件（均以各種標準封裝提供）組成，為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如，FCD850N80Z 是該系列的主要成員，將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson（最大值）與比主要競爭產品低 6~11% 的Rdson （最大值）和低8~13% 的Coss (@400V)相結合，使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括：

Rdson	TO-247	D2-pak	TO-220	TO-220F	D-pak	I-pak
(最大值)					(TO-252)	(TO-251)
[mΩ]
4,300				FCPF4300N80Z		FCU4300N80Z
3,400					FCD3400N80Z*	FCU3400N80Z*
2,250				FCPF2250N80Z	FCD2250N80Z	FCU2250N80Z
1,300				FCPF1300N80Z	FCD1300N80Z
1,300				FCPF1300N80ZYD*	FCD1300N80Z
850			FCP850N80Z*	FCPF850N80Z	FCD850N80Z	FCU850N80Z
650			FCP650N80Z*	FCPF650N80Z
400			FCP400N80Z*	FCPF400N80Z
400			FCP400N80Z*	FCPF400N80ZL1**
290		FCB290N80*	FCP290N80*	FCPF290N80*
220			FCP220N80*	FCPF220N80*
85	FCH085N80_F155*
60	FCH060N80_F155*

(*: 開發中）

要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技術的更多信息，請訪問 https://info.fairchildsemi.com/F ... _MOSFET_Family.html

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