IR推出電池保護MOSFET系列，為移動應用提供具有成本效益的靈活解決方案

發布時間：2014-12-3 09:55 發布者：eechina

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。

全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內提供兩個采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產品系列，提供行業標準封裝以及適合精密設計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節省電路板空間及系統成本。”

所有新產品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標準 (MSL1) 及電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

規格

器件	通道類型	配置	封裝	VBRDSS	最大VGS	4.5V下的	2.5V下的	典型QG
				(V)	(V)	最大導通電阻	最大導通電阻	(nC)
						(mΩ)	(mΩ)
IRL6297SD	N	雙共漏極	DirectFET SA	20	12	4.9	6.9	54
IRLML2246	P	單	SOT-23	-20	12	-135	-236	2.9
IRLML2244	P	單	SOT-23	-20	12	-54	-95	6.9
IRLML6244	N	單	SOT-23	20	12	21	27	8.9
IRLML6246	N	單	SOT-23	20	12	46	66	3.5
IRLML6344	N	單	SOT-23	30	12	29	37	6.8
IRLML6346	N	單	SOT-23	30	12	63	80	2.9
IRLHS2242	P	單	PQFN 2x2	-20	12	-31	-53	12
IRLHS6242	N	單	PQFN 2x2	20	12	11.7	15.5	14
IRLHS6276	N	雙獨立	PQFN 2x2	20	12	45	62	3.1
IRLHS6342	N	單	PQFN 2x2	30	12	15.5	19.5	11
IRLHS6376	N	雙獨立	PQFN 2x2	30	12		82	2.8
IRLTS2242	P	單	TSOP-6	-20	12	-32	-55	12
IRLTS6342	N	單	TSOP-6	30	12	17.5	22	11

產品現正接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選型工具，請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

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