IR推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET

發(fā)布時間：2014-6-26 16:29 發(fā)布者：eechina

AUIRFN8403以緊湊5x6mm PQFN封裝，提供高效率和高功率密度并減少系統(tǒng)成本

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機控制和車身控制等。

使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而可以確保有效的可焊性和易于檢查的焊點。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRFN8403比傳統(tǒng)的DPAK (TO-252) 封裝減少超過50%的占位面積，比SO-8封裝的熱性能顯著提高，為汽車應(yīng)用提供了超緊湊的高效率、高密度、高性價比解決方案。”

所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試和100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1,000次溫度循環(huán)測試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過20%。

新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

規(guī)格

器件編號	封裝	V(BR)DSS (V)	10VGS下的最大導(dǎo)通電阻(mΩ)	TC 為 25°C 時的ID 最大值(A)	10VGS下的QG (nC)
AUIRFN8403	5x6mm PQFN	40	3.3	95	65

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和SPICE模型，請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。

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