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采用14/16nm FinFET和28nm工藝的小片芯占用面積PHY降低了消費類、移動、存儲及網絡應用的硅成本 新思科技公司（Synopsys）今日宣布：通過推出全新的DesignWare USB femtoPHY系列IP，已將USB PHY的實現面積縮小多達50％；從而可在28nm和14/16nmFinFET工藝節點上，將USB PHY設計的片芯占用面積和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工藝的DesignWare USB femtoPHY已展示出穩固的性能，使設計師能夠在先進工藝技術節點上實現該IP，同時降低系統級芯片（SoC）設計風險。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY專為極小面積而優化，滿足了諸如智能手機和平板電腦等移動設備，以及諸如數字電視、存儲等網絡應用等大批量消費應用的嚴苛要求。 DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP（DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET）已經在第三方實驗室中通過了USB-IF一致性測試。DesignWare USB femtoPHY達到或超過了USB-IF標準規范，包括5V耐壓和3.3V信令體制，提供了有利于系統配置運行全部規格定義功能的強大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB應用模式，為系統設計師提供了一系列多樣化的SoC設計選項。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY兩個產品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速運行，以及作為主控、設備和OTG等不同配置，同時DesignWare USB 3.0 femtoPHY還支持超高速USB運行（USB 3.0）。 “基于我們長期成功使用DesignWare USB IP的經驗，我們實現了帶有高品質DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星電子晶圓代工市場營銷副總裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圓代工廠中制造的帶有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工藝的、通過了USB-IF認證的芯片。通過集成一個面積顯著縮小的PHY，提高了我們客戶系統級芯片的競爭力，并且簡化了添加USB連接的過程。Synopsys的DesignWare femtoPHY夠滿足大批量移動和消費類應用的成本、功耗、性能和上市時間的需求，它們對于我們在這些快速發展的市場中獲得成功至關重要。” 
該圖顯示了14nm FinFET工藝技術的Synopsys DesignWare USB3.0 femtoPHY的優異性能和寬泛余量 Synopsys開發的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使設計師能夠為其應用選擇最佳實現方式，而不犧牲USB一致性認證所要求的功能或性能。需要高性能的設計可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB（USB 3.0）規范的5.0 Gbps數據傳輸速率。需要較低性能的應用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB（USB 2.0）規范的480MHz傳輸速率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能夠將SoC外部所需的引腳數量降至最低，以進一步縮減SoC的面積和成本。當PHY閑置時，關閉電源這一功能可將電池耗電量降至最低，同時保持所有的PHY狀態，以確保快速、精確的上電后功能。此外，DesignWare USB femtoPHY支持廣為使用的v1.2USB電池充電規范和USB On-The-Go (OTG) v2.0協議。 “18多年來，作為USB-IF的一名活躍成員，Synopsys一直不斷地開發相關IP產品，簡化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和應用，”USB應用者論壇總裁兼首席運營官Jeff Ravencraft表示道：“獲得USB-IF認證表明一款產品符合USB-IF的互操作性標準，并且符合相應的USB規范。Synopsys提供的全新的、面積更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY，使制造商能夠將該技術引入其SoC中。” “SoC設計師已經依靠Synopsys 在3,000多款設計和100多種工藝技術中實現了USB接口，使我們十多年來一直領跑USB IP供應，”Synopsys IP與原型設計市場營銷副總裁John Koeter表示：“我們能夠為先進工藝技術提供高質量IP這樣的專業技術和成功記錄，使設計師可集成能夠可靠地滿足其嚴格應用需求的IP。隨著DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市，以及在FinFET工藝中成功流片，我們將能夠幫助我們的客戶滿足業界對更小的、高性價比的、高性能的SoC需求。” 供貨 采用領先14/16 nm FinFET 和28 nm工藝節點的DesignWare USB 2.0和USB 3.0 femtoPHY IP現在已經開始供貨。 |
