TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導通電阻

發布時間：2013-11-11 16:27 發布者：eechina

關鍵詞： MOSFET , FemtoFET

小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命

德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。如欲了解更多詳情，訂購樣片與 SPICE 模型，敬請訪問：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。

三個 N 通道及三個 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與芯片級封裝 (CSP) 相比，其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的導通電阻，比目前市場上類似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護。點擊這里觀看視頻。

部件號	通道	BVdss	Vgs	典型導通電阻（歐姆）			Id（Ta = 25°C 時）
部件號	通道	(V)	(V)	1.8V	2.5V	4.5V	(A)
CSD17381F4	N	30	12	160	110	90	3.1
CSD17483F4	N	30	12	370	240	200	1.5
CSD13381F4	N	12	8	310	170	140	2.1
CSD25481F4	P	-20	-12	395	145	90	-2.5
CSD25483F4	P	-20	-12	580	338	210	-1.6
CSD23381F4	P	-12	-8	480	250	150	-2.3

FemtoFET MOSFET 歸屬 TI NexFET 功率 MOSFET 產品系列，該系列還包括適用于手機等便攜式應用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線性穩壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產品，可為手持應用節省板級空間，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優勢
• 不足 100 毫歐的導通電阻比類似器件低 70%，可節省電源，延長電池使用壽命；
• FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標準 CSP 小 40%；
• 1.5A 至 3.1A 的持續漏極電流值與當前市場類似尺寸器件相比，可提供超過 2 倍的性能。

供貨情況
FemtoFET MOSFET 器件現已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權分銷商進行訂購。

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