熱門關(guān)鍵詞：Cortex 射頻 PCB PTC 霍爾效應(yīng)

IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應(yīng)用，提供行業(yè)領(lǐng)先效率

發(fā)布時間：2013-9-25 14:14 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： DC-DC , 同步降壓

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。

全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù)，采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉(zhuǎn)換器提供基準(zhǔn)功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進一步提升系統(tǒng)效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這款先進的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺相輔相成，為設(shè)計人員提供一系列高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器。”

IR FastIRFET器件為5V柵極驅(qū)動應(yīng)用作出優(yōu)化，可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作，從而使設(shè)計更靈活，并且以小占位面積實現(xiàn)高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環(huán)保物料清單不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

規(guī)格

封裝	器件編號	在25°C 下的Id max	典型/最高RDSon		4.5V下的典型QG (nC)	4.5V下的典型QGD (nC)
			@ 10V	@ 4.5V
			(mΩ)	(mΩ)
PQFN 5x6	IRFH4201	100A	0.70 / 0.95	1.00 / 1.25	46	16
	IRFH4210D (FETKY)		0.85 / 1.10	1.10 / 1.35	36	13
	IRFH4210		0.85 / 1.10	1.10 / 1.35	36	13
	IRFH4213D (FETKY)		1.10 / 1.35	1.5 / 1.9	26	9.2
	IRFH4213		1.10 / 1.35	1.5 / 1.9	26	9.2
	IRFH4234		3.5 / 4.6	5.6 / 7.3	8.2	3.1
PQFN 3.3x3.3	IRFHM4226	40A	1.7 / 2.2	2.6 / 3.3	16	5.8
PQFN 3.3x3.3	IRFHM4234	40A	3.5 / 4.6	5.6 / 7.3	8.2	3.1

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單，相關(guān)數(shù)據(jù)請瀏覽IR的網(wǎng)站www.irf.com。

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-121339-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)；文章版權(quán)歸原作者及原出處所有，如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求，第一時間更正或刪除。