意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出業(yè)界首款采用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高壓脈沖環(huán)境中，650V額定電壓能夠為目標應用帶來更高的安全系數，有助于提高汽車電源和控制模塊的可靠性。這兩款器件導通電阻 (RDS(ON)) 極低，分別為0.032Ω 和0.049Ω，結合緊湊的TO-247封裝，可提高系統能效和功率密度。
新產品的市場領先的性能歸功于意法半導體的MDmesh V 超結(super-junction)技術。此項技術可生產單位硅面積導通電阻RDS(ON) 極低的高壓器件，使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷(Qg)和輸入電容也極低，因此，Qg x RDS(ON)品質因數 (FOM，figure of meric)極其出色，開關性能和能效異常優(yōu)異。此外，優(yōu)異的抗雪崩（avalanche）性能可確保器件在持續(xù)高壓運行環(huán)境中提高耐用性。 MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式工藝和經過市場檢驗的PowerMESH水平式架構，導通電阻較同級別的MDmesh II器件降低大約50%。 意法半導體的采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現已量產。 詳情請訪問www.st.com/mdmeshv |
