第三代半導體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而,SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰:開關速度可達納秒級,電 ...