一、引言1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等)使其在高壓、高溫及高頻應(yīng)用場(chǎng)景中 ...