20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 型號:LN2312LT1G 漏源極電阻:0.041 Ω 閾值電壓:0.4 V 漏源極電壓(Vds):20 V 連續(xù)漏極電流(Ids):4.9A 封裝:SOT-23 特征 先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù) 用于超低導(dǎo)通電 ...