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安泰測試給西安交通大學提供方案—（四）IGBT與三代半導體SiC雙脈沖測試方案

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發布時間: 2022-6-1 18:36

正文摘要:

方案簡介：日前，基于SiC和GaN的第三代半導體技術蓬勃發展，其對應的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭，以其優越的160dB共模抑制比，超低的 ...

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