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碳化硅器件,國產替代的趨勢和優勢
碳化硅器件,國產替代的趨勢和優勢
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碳化硅MOS
發布時間:
2022-5-30 10:43
正文摘要:
與傳統的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外,SiC讓設計人員能夠減少元件的 ...
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